論文

• Takahiko Shindo, Mitsuaki Futami, Tadashi Okumura, Ryo Osabe, Takayuki Koguchi, Tomohiro Amemiya, Nobuhiko Nishiyama, Shigehisa Arai. Lateral-Current-Injection Type Membrane DFB Laser With Surface Grating, IEEE Photonics Technol. Lett., Vol. 25, No. 13, pp. 1282-1285, July 2013.  公式リンク  
  
• S. Arai, N. Nishiyama, T. Maruyama, T. Okumura. GaInAsP/InP Membrane Lasers for Optical Interconnects, IEEE J. Sel. Top. Quantum Electron., IEEE, Vol. 17, No. 5, pp. 1381 - 1389, Sept. 2011.
• Takahiko Shindou, Tadashi Okumura, Hitomi Ito, Takayuki Koguchi, Daisuke Takahashi, Yuki Atsumi, JoonHyun Kang, Ryou Osabe, Tomohiro Amemiya, Nobuhiko Nishiyama, SHIGEHISA ARAI. Lateral-Current-Injection Distributed Feedback Laser with Surface Grating Structure, IEEE J. Sel. Top. Quantum Electron., Vol. 17, No. 5, pp. 1175 - 1182, Sept. 2011.  公式リンク  
  
• Ryo Osabe, Tadashi Okumura, Simon Kondo, Nobuhiko Nishiyama, Shigehisa Arai. Bonding and Photoluminescence Characteristics of GaInAsP/InP Membrane Structure on Silicon-on-Insulator Waveguides by Surface Activated Bonding, Japanase Journal of Applied Physics, Vol. 50, No. 8, p. 088005, Aug. 2011.
• Tadashi Okumura, daisuke kondo, Hitomi Ito, SeungHun Lee, Tomohiro Amemiya, Nobuhiko Nishiyama, SHIGEHISA ARAI. Lateral Junction Waveguide-Type Photodiode Grown on Semi-Insulating InP Substrate, Japanese Journal of Applied Physics (JJAP), Vol. 50, No. 2, pp. 020206-1 - 020206-3, Feb. 2011.  公式リンク  
  
• Takahiko Shindou, Tadashi Okumura, Hitomi Ito, Takayuki Koguchi, Daisuke Takahashi, Yuki Atsumi, JoonHyun Kang, Ryou Osabe, Tomohiro Amemiya, Nobuhiko Nishiyama, SHIGEHISA ARAI. GaInAsP/InP lateral-current-injection distributed feedback laser with a-Si surface grating, Opt. Express, Vol. 19, No. 3, pp. 1884–1891, Jan. 2011.  公式リンク  
  
• Tadashi Okumura, Hitomi Ito, daisuke kondo, Nobuhiko Nishiyama, SHIGEHISA ARAI. Continuous Wave Operation of Thin Film Lateral Current Injection Lasers Grown on Semi-insulating InP, Japanese Journal of Applied Physics (JJAP), Vol. 49, No. 4, Page 040205, Apr. 2010.
• Tadashi Okumura, Munetaka Kurokawa, Mizuki Shirao, daisuke kondo, Hitomi Ito, Nobuhiko Nishiyama, Takeo Maruyama, SHIGEHISA ARAI. Lateral current injection GaInAsP/InP laser on semi-insulating substrate for membrane-based photonic circuits, Opt. Express, Vol. 17, No. 15, pp. 12564-12570, July 2009.
• Tadashi Okumura, Takeo Maruyama, HIDENORI YONEZAWA, Nobuhiko Nishiyama, SHIGEHISA ARAI. Injection-type GaInAsP-InP-Si Distributed-feedback Laser Directly Bonded on Silicon-on-insulator Substrate, IEEE Photonics Technol. Lett., Vol. 21, No. 5, pp. 283-285, Mar. 2009.
• Tadashi Okumura, Takeo Maruyama, Masaki Kanemaru, Shinichi Sakamoto, SHIGEHISA ARAI. Single-mode operation of GaInAsP/InP-membrane distributed feedback (DFB) lasers bonded on silicon-on-insulator (SOI) substrate with rib-waveguide structure, Jpn. J. Appl. Phys., Vol. 46, No. 48, pp. L1206-L1208, Dec. 2007.
• H. Naitoh, S. Sakamoto, Mamoru Otake, T. Okumura, T. Maruyama, N. Nishiyama, S. Arai. GaInAsP/InP Membrane Buried Heterostructure Distributed Feedback Laser with Air-Bridge Structure, Jpn. J. Appl. Phys., vol. 46, no. 47, pp. L1158-L1160, Nov. 2007.
• Takeo Maruyama, Tadashi Okumura, SHIGEHISA ARAI. Direct wafer bonding of GaInAsP/InP membrane structure on silicon-on-insulator substrate, Jpn. J. Appl. Phys, Vol. 45, No. 11, pp. L8717-L8718, Nov. 2006.
• Takeo Maruyama, Tadashi Okumura, Shinichi Sakamoto, Koji Miura, Yoshifumi Nishimoto, SHIGEHISA ARAI. GaInAsP/InP membrane BH-DFB lasers directly bonded on SOI substrate, Opt. Express, Vol. 16, No. 14, pp. 8814-8818, Sept. 2006.

国際会議発表 (査読有り)

• T. Shindo, Mitsuaki Futami, Tadashi Okumura, Ryou Osabe, Takayuki Koguchi, T. Amemiya, N. Nishiyama, S. Arai. Lasing Operation of Lateral-Current-Injection Membrane DFB Laser with Surface Grating, The 16th Opto-Electronics and Communication Conference, No. 6D3-7, July 2011.  公式リンク  
  
• Mitsuaki Futami, T. Shindo, Tadashi Okumura, Ryou Osabe, Daisuke Takahashi, Takayuki Koguchi, T. Amemiya, N. Nishiyama, S. Arai. Stripe Width Dependence of Internal Quantum Efficiency and Carrier Injection Delay in Lateral Current Injection GaInAsP/InP Lasers, The 16th Opto-Electronics and Communication Conference (OECC-2011), No. 7D2-2, July 2011.  公式リンク  
  
• T. Shindo, Tadashi Okumura, Mitsuaki Futami, Ryou Osabe, Takayuki Koguchi, T. Amemiya, N. Nishiyama, S. Arai. Lateral Current Injection Distributed Feedback Laser with Wirelike Active Regions, The 23rd International Conference on Indium Phosphide and Related Materials (IPRM-2011), No. Tu5.2-3, May 2011.  公式リンク  
  
• Tadashi OKUMURA, Takayuki KOGUCHI, Hitomi ITO, Nobuhiko NISHIYAMA, Shigehisa ARAI. Injection-Type GaInAsP/InP Membrane Buried Heterostructure Distributed Feedback Laser with Wirelike Active Regions, Applied Physics Express (APEX), Vol. 4, No. 4, pp. 042101-1 - 042101-3, Mar. 2011.
• Takahiko Shindou, Tadashi Okumura, Hitomi Ito, Takayuki Koguchi, Daisuke Takahashi, Yuki Atsumi, JoonHyun Kang, Ryou Osabe, Nobuhiko Nishiyama, SHIGEHISA ARAI. Lateral Current Injection Type GaInAsP/InP DFB Laser with a-Si Surface Grating, The 23rd Annual Meeting of the IEEE Photonics Society, Vol. Denver, USA, No. ThR 4, Nov. 2010.
• Tadashi Okumura, Takayuki Koguchi, Hitomi Ito, Nobuhiko Nishiyama, SHIGEHISA ARAI. First Lasing Operation of Injection Type Membrane GaInAsP DFB Laser With Lateral Current Injection BH Structure, the 22nd IEEE International Semiconductor Laser Conference, Vol. Kyoto, Japan, No. ThB-2, Sept. 2010.
• Hitomi Ito, Tadashi Okumura, daisuke kondo, Nobuhiko Nishiyama, SHIGEHISA ARAI. Thin-Film GaInAsP/InP Lateral Current Injection Type Fabry-Perot Laser Improved Quantum Efficiency Operation, The 22th International Conference on Indium Phosphide and Related Materials (IPRM2010), Vol. Takamatsu, Japan, No. TuA3-5, June 2010.
• Ryo Osabe, Tadashi Okumura, Simon Kondo, Nobuhiko Nishiyama, Shigehisa Arai. Stabilization on Fabrication of GaInAsP/InP Membrane Structure on SOI waveguide by Surface Activated Bonding, The 37th International Symposium on Compound Semiconductors (ISCS 2010)., Vol. Kagawa, Japan, No. FrP23, May 2010.
• Tadashi Okumura, daisuke kondo, Hitomi Ito, SeungHun Lee, Daisuke Takahashi, Nobuhiko Nishiyama, SHIGEHISA ARAI. Dynamic Characteristics of Lateral Current Injection Laser, The 37th International Symposium on Compound Semiconductors (ISCS 2010), Vol. Kagawa, Japan, No. WeE3-2, May 2010.
• Shimon Kondo, Tadashi Okumura, Ryo Osabe, Nobuhiko Nishiyama, SHIGEHISA ARAI. Investigation of Bonding Strength and Photoluminescence Properties of InP/Si Surface Activated Bonding, International Conference on Indium Phosphide and Related Materials, The 22th International Conference on Indium Phosphide and Related Materials (IPRM2010), No. WeP28, May 2010.
• Daisuke Kondo, Tadashi Okumura, Hitomi Ito, SeungHun Lee, Tomohiro Amemiya, Nobuhiko Nishiyama, SHIGEHISA ARAI. Lateral Junction Waveguide Type Photodiode for Membrane Photonic Circuits, International Conference on Indium Phosphide and Related Materials, The 22nd International Conference on Indium Phosphide and Related Materials (IPRM2010), May 2010.  公式リンク  
  
• Hitomi Ito, Tadashi Okumura, Daisuke Kondo, Nobuhiko Nishiyama, Shigehisa Arai. Improved Quantum Efficiency of Lateral Current Injection Type Fabry-Perot Lasers, International Symposium on Quantum Nanophotonics and Nanoelectronics, Vol. University of Tokyo, No. ThC-4, Nov. 2009.
• Haruki ENOMOTO, Keita INOUE, Tadashi OKUMURA, Hanh DUC NGUYEN, Nobuhiko NISHIYAMA, Yuki ATSUMI, Simon KONDO, Shigehisa ARAI. Properties of High index-Contrast Wired GaInAsP Waveguides with Benzocyclobutene on Si Substrate, The 21th International Conference on Indium Phosphide and Related Materials (IPRM2009), Vol. Newport Beach, California, No. ThA1. 4, May 2009.
• Tadashi Okumura, Munetaka Kurokawa, daisuke kondo, Hitomi Ito, Nobuhiko Nishiyama, SHIGEHISA ARAI. Lateral Current Injection Type GaInAsP/InP DFB Lasers on SI-InP Substrate, The 21st International Conference on Indium Phosphide and Related Materials (IPRM2009), Vol. Newport Beach, California, No. TuB2, May 2009.
• Tadashi Okumura, Munetaka Kurokawa, Hitomi Ito, daisuke kondo, Nobuhiko Nishiyama, SHIGEHISA ARAI. Room-Temperature CW Operation of Lateral Current Injection Lasers with Thin Film Lateral, The 21st International Conference on Indium Phosphide and Related Materials (IPRM2009), Vol. Newport Beach, California, No. WP 12, May 2009.
• Tadashi OKUMURA, Munetaka KUROKAWA, Mizuki SHIRAO, Daisuke KONDO, Nobuhiko NISHIYAMA, SHIGEHISA ARAI. Top-Air-Cladding GaInAsP/InP Lateral Current Injection Type Lasers, IEEE Nanotechnology Materials and Device Conference 2008, IEEE Nanotechnology Materials and Device Conference 2008, MoC I-5, Oct. 2008.
• Tadashi Okumura, Takeo Maruyama, HIDENORI YONEZAWA, Nobuhiko Nishiyama, SHIGEHISA ARAI. Injection Type GaInAsP/InP/Si DFB Lasers Directly Bonded on SOI Substrate, The 20th International Conference on Indium Phosphide and Related Materials (IPRM2008), Vol. Versaille, France, No. TuA1-6, May 2008.
• D. Plumwongrot, M. Kurokawa, T. Okumura, Y. Nishimoto, T. Maruyama, N. Nishiyama, S. Arai. Reduction of RIE Induced Damage on Lasing Properties of GaInAsP/InP DQW Lasers Fabricated by 2-step Growths, OPTO2008 (part of SPIE Photonics West 2008), OPTO2008 (part of SPIE Photonics West 2008), SPIE, Vol. San Jose (USA), No. 6909-11, Jan. 2008.
• SHIGEHISA ARAI, SAEED MAHMUD ULLAH, SeungHun Lee, PDHANORM, Munetaka Kurokawa, Shinichi Sakamoto, Hideyuki Naitoh, Tadashi Okumura, Takeo Maruyama, Nobuhiko Nishiyama. GaInAsP/InP Distributed Feedback and Distributed Reflector Lasers with Fine Wirelike Active Regions, Photonics WEST Optoelectronics 2008, OPTO2008 (part of SPIE Photonics West 2008), SPIE, Vol. Photonics WEST Optoelectronics 2008, No. San Jose (USA), pp. 6902-04, Jan. 2008.
• D. Plumwongrot, M. Kurokawa, T. Okumura, Y. Nishimoto, T. Maruyama, N. Nishiyama, S. Arai. Observation of RIE Induced Damage on Lasing Properties of GaInAsP/InP MQW Lasers Fabricated by 2-step Growths, The 34th International Symposium on Compound Semiconductors (ISCS2007), The 34th International Symposium on Compound Semiconductors (ISCS2007), no. ThC-P9, Sept. 2007.
• Tadashi Okumura, Takeo Maruyama, Masaki Kanemaru, Shinichi Sakamoto, shigeo tamura, SHIGEHISA ARAI. Fundamental-mode operation of GaInAsP/InP membrane DFB lasers bonded on SOI substrate and its waveguide integration, The 19th Indium Phosphide and Related Material, TuB2-2, May 2007.
• Hideyuki Naitoh, Shinichi Sakamoto, Mamoru Otake, Tadashi Okumura, Takeo Maruyama, Nobuhiko Nishiyama, SHIGEHISA ARAI. 80 ºC CW Operation of GaInAsP/InP Membrane BH-DFB Laser With Air-Bridge Structure, The 19th Indium Phosphide and Related Material (IPRM 2007), Vol. Matsue (Japan), No. ThB1-2, May 2007.
• Takeo Maruyama, Tadashi Okumura, Shinichi Sakamoto, Koji Miura, Yoshifumi Nishimoto, SHIGEHISA ARAI. GaInAsP/InP long-wavelength membrane BH-DFB lasers directly bonded on SOI Substrate, The 11th Opto-Electronics and Communications Conferen, Vol. Kaohsiung (Taiwan), No. 5E1-3, July 2006.

国際会議発表 (査読なし・不明)

• SHIGEHISA ARAI, Nobuhiko Nishiyama, Tadashi Okumura, Takahiko Shindou. Lateral current injection GaInAsP/InP laser for membrane based photonic circuits, SPIE Photonics West Conference 2011, Vol. San Francisco, California, (USA), No. 7953-06, Jan. 2011.
• SHIGEHISA ARAI, Nobuhiko Nishiyama, Tadashi Okumura. Membrane DFB Laser on SOI, Asia Communications and Photonics Conference and Exhibition 2010 (ACP2010), Vol. Shanghai, China, No. ThF1, Dec. 2010.
• HIDENORI YONEZAWA, Takeo Maruyama, Tadashi Okumura, Nobuhiko Nishiyama, SHIGEHISA ARAI. Injection Type GaInAsP/InP DFB Lasers, 2008 International Nano-Optoelectronics Workshop, No. session4-P16, Aug. 2008.
• Tadashi Okumura, Munetaka Kurokawa, Mizuki Shirao, daisuke kondo, Hitomi Ito, Nobuhiko Nishiyama, SHIGEHISA ARAI. GaInAsP/InP Lateral Current Injection Laser Grown on SI-InP Substrate, 2008 International Nano-Optoelectronics Workshop, session3-P27, Aug. 2008.
• Haruki Enomoto, Hai Duc Nguyen, Keita Inoue, Shinichi Sakamoto, Tadashi Okumura, Nobuhiko Nishiyama, Shimon Kondo, Shigehisa Arai. Comparison of Wafer Bonding Methods of Membrane GaInAsP WiredWaveguides on Si Substrate, 2008 International Nano-Optoelectronics Workshop, 2008 International Nano-Optoelectronics Workshop, session3-P27, Aug. 2008.

国内会議発表 (査読なし・不明)

• 進藤隆彦, 奥村忠嗣, 二見充輝, 長部亮, 高橋大佑, 伊藤瞳, 小口貴之, 雨宮智宏, 西山伸彦, 荒井滋久. 横方向電流注入型レーザにおける発振特性のストライプ幅依存性, 第58回応用物理学関係連合講演会, Vol. 神奈川, No. 26a-P5-17, Mar. 2011.
• 二見充輝, 進藤隆彦, 奥村忠嗣, 長部亮, 伊藤瞳, 小口貴之, 雨宮智宏, 西山伸彦, 荒井滋久. 細線状活性層を有するGaInAsP/InP横方向電流注入型DFBレーザ, 第58回応用物理学関係連合講演会, 第58回応用物理学関係連合講演会, Vol. 神奈川, No. 26a-P5-16, Mar. 2011.
• 西山伸彦, 奥村忠嗣, 荒井滋久. Si・SOI基板上レーザ素子の現状, レーザー学会学術講演会第31回年次大会, Vol. 東京, No. 10pⅴ5, Jan. 2011.
• 進藤隆彦, 奥村忠嗣, 伊藤瞳, 小口貴之, 高橋大佑, 渥美裕樹, 姜晙炫, 長部亮, 雨宮智宏, 西山伸彦, 荒井滋久. a-Si表面回折格子を有する1550nm波長帯横方向電流注入型DFBレーザ, 電子情報通信学会 レーザ・量子エレクトロニクス研究会, IEICE Technical Report, Vol. 110, No. 353, 17-22, Dec. 2010.
• 小口貴之, 奥村忠嗣, 伊藤瞳, 西山伸彦, 荒井滋久. 半導体薄膜DFBレーザの電流注入動作, 第71回応用物理学会学術講演, Vol. 長崎, No. 16p-H-12, Sept. 2010.
• 進藤隆彦, 奥村忠嗣, 伊藤瞳, 小口貴之, 渥美裕樹, 姜晙炫, 長部亮, 西山伸彦, 荒井滋久. a-Si表面回折格子を用いた横方向電流注入型DFBレーザ, 第71回応用物理学会学術講演, Vol. 長崎, No. 16p-H-11, Sept. 2010.
• 長部亮, 奥村忠嗣, 近藤志文, 西山伸彦, 荒井滋久. 表面活性化接合法によるSOI導波路上GaInAsP薄膜構造の形成, 第71回応用物理学会学術講演, Vol. 長崎, No. 14p-G-15, Sept. 2010.
• 伊藤瞳, 奥村忠嗣, 李承勲, 進藤隆彦, 西山伸彦, 荒井滋久. SOI基板上集積二重導波路構造レーザの理論検討, 第71回応用物理学会学術講演, Vol. 長崎, No. 16p-H-13, Sept. 2010.
• 西山伸彦, 荒井滋久, 奥村忠嗣, 伊藤 瞳, 榎本晴基, 近藤志文, 前田泰奈, 長部 亮, 雨宮智宏. Si/III-Vハイブリッド光デバイスと関連技術, 日本学術振興会半導体界面制御技術第１５４委員会研究会, 日本学術振興会半導体界面制御技術第１５４委員会, 日本学術振興会, Vol. 68, May 2010.
• 奥村忠嗣, 近藤大介, 伊藤瞳, 李承勲, 高橋大佑, 西山伸彦, 荒井滋久. 横方向電流注入レーザの変調特性, 第57回応用物理学関係連合講演会, Vol. 神奈川, No. 19p-E-5, Mar. 2010.
• 近藤志文, 奥村忠嗣, 長部亮, 西山伸彦, 荒井滋久. 表面活性化貼付法を用いたInP/Si接合とフォトルミネッセンス特性, 第57回春季応用物理学会学術講演会, 第57回春季応用物理学会学術講演会, Vol. 神奈川, No. 17p-P3-13, Mar. 2010.
• 奥村忠嗣, 伊藤瞳, 近藤大介, 西山伸彦, 荒井滋久. 半絶縁性基板上GaInAsP/InP横注入薄膜コアレーザの室温連続動作, 電子情報通信学会レーザ・量子エレクトロニクス研究会, Vol. 東京, No. LQE2009-147, pp. 45-50,, Dec. 2009.
• 近藤志文, 奥村忠嗣, 長部 亮, 西山伸彦, 荒井滋久. 表面活性化接合によるInP/Si接合とフォトルミネセンス特性評価, 第１２回シリコンフォトニクス研究会, Vol. 東京大学本郷キャンパス, No. SIPH2009-P11, Dec. 2009.
• 奥村忠嗣, 伊藤瞳, 近藤大介, 西山伸彦, 荒井滋久. 光配線のための薄膜半導体光源に向けた横注入型レーザ, 第１２回シリコンフォトニクス研究会, Vol. 東京大学本郷キャンパス, No. SIPH2009-P18, Nov. 2009.
• 近藤大介, 奥村忠嗣, 伊藤瞳, 李承勲, 西山伸彦, 荒井滋久. 薄膜光回路にむけた横方向接合導波路型フォトダイオード, 第１２回シリコンフォトニクス研究会, Vol. 東京大学本郷キャンパス, No. SIPH2009-P27, Nov. 2009.
• 近藤大介, 奥村忠嗣, 伊藤瞳, 李承勲, 西山伸彦, 荒井滋久. シリコン上薄膜光回路のための横方向接合導波路型フォトダイオード, 第70回応用物理学会学術講演, Vol. 富山, No. 10a-S-5, Sept. 2009.
• 伊藤瞳, 奥村忠嗣, 近藤大介, 西山伸彦, 荒井滋久. 横方向電流注入型ファブリ・ペローレーザの微分量子効率改善, 第70回応用物理学会学術講演, Vol. 富山, No. 10p-S-11, Sept. 2009.
• 奥村忠嗣, 黒川宗高, 伊藤瞳, 近藤大介, 西山伸彦, 荒井滋久. 横方向電流注入型ファブリ・ペローレーザの室温連続動作, 第56回応用物理学関係連合講演会, Vol. 茨城, No. 1a-G-3, Apr. 2009.
• 奥村忠嗣, 黒川宗高, 近藤大介, 伊藤瞳, 西山伸彦, 荒井滋久. 半絶縁性基板上の横方向注入型DFB レーザ, 第56回応用物理学関係連合講演会, Vol. 茨城, No. 1a-G-2, Apr. 2009.
• 榎本晴基, 井上敬太, 奥村忠嗣, ｸﾞｪﾝ・ﾄﾞｩｯｸ・ﾊﾝ, 西山伸彦, 渥美裕樹, 近藤志文, 荒井滋久. Si上BCB貼付型強光閉じ込めGaInAsP細線導波路の特性, 第56回春季応用物理学会学術講演会, 第56回春季応用物理学会学術講演会予稿集, Vol. 3, No. 2P-A-8, p. 1242, Mar. 2009.
• 荒井滋久, 丸山武男, 西山伸彦, 奥村忠嗣, 黒川宗高, 白尾瑞基, 米澤英徳, 近藤大介, 伊藤瞳. シリコンフォトニクス光源, シリコンフォトニクス技術分科会, シリコンフォトニクス技術分科会, JEITA（社 電子情報技術産業協会）, Dec. 2008.
• 奥村忠嗣, 黒川宗高, 白尾瑞基, 近藤大介, 伊藤瞳, 西山伸彦, 荒井滋久. 半導体薄膜レーザ実現に向けた半絶縁性基板上GaInAsP薄膜への横注入型レーザ, 電子情報通信学会レーザ・量子エレクトロニクス研究会, Vol. 東京, No. LQE2008-137, pp. pp. 47-52, Dec. 2008.
• 荒井滋久, 丸山武男, 西山伸彦, 奥村忠嗣, 黒川宗高, 白尾瑞基, 米澤英徳, 近藤大介, 伊藤瞳. SOI上の半導体薄膜レーザ, 電子情報通信学会シリコンフォトニクス研究会, 電子情報通信学会, 東京, SiPH2008-15, pp. 19–24, Nov. 2008.
• 黒川宗高, 奥村忠嗣, 白尾瑞基, 近藤大介, 伊藤 瞳, 西山伸彦, 荒井滋久. OMVPE再成長法による薄膜クラッド層を有する横方向電流注入型レーザ, 69回応用物理学会学術講演会, 2p-P3-8、p. 1020, Sept. 2008.
• 奥村忠嗣, 丸山武男, 米澤英徳, 西山伸彦, 荒井滋久. SOI基板への直接貼り付け法によるGaInAsP/InP DFBレーザ, 電子情報通信学会レーザ・量子エレクトロニクス研究会., Vol. 東京, No. LQE2008-29, pp. pp. 45-50, June 2008.
• 奥村忠嗣, 丸山武男, 米澤英徳, 西山伸彦, 荒井滋久. 直接貼付法によるSOI基板上注入形GaInAsP/InP DFB レーザ, 第55回応用物理学関係連合講演会, 第55回応用物理学関係連合講演会, 応用物理学会, Vol. 千葉, no. 29p-ZQ-4, Mar. 2008.
• 奥村忠嗣, 丸山武男, 金丸正樹, 荒井滋久. 直接貼付法によるSOI基板上GaInAsP/InP-LED, 第68回応用物理学会学術講演会, 第68回応用物理学会学術講演会, Vol. 札幌, no. 7a-C-13, p. 1160, Sept. 2007.
• 丸山武男, 奥村忠嗣, 荒井滋久. シリコン上レーザ実現への展望, 電子情報通信学会エレクトロニクスソサィエティ大会, 電子情報通信学会エレクトロニクスソサィエティ大会, 電子情報通信学会, Vol. 鳥取, no. CK-1-8, pp. SS14-SS15, Sept. 2007.
• Takeo Maruyama, Tadashi Okumura, Masaki Kanemaru, Shinichi Sakamoto, shigeo tamura, SHIGEHISA ARAI. Thermal characteristics of GaInAsP/InP membrane DFB lasers on SOI substrate integrated with rib-waveguide, The 12th Opto-Electronics and Communications Conference, 12D1-3, July 2007.
• 内藤秀幸, 阪本真一, 大竹守, 奥村忠嗣, 丸山武男, 西山伸彦, 荒井滋久. エアブリッジ構造を用いたGaInAsP/InP半導体薄膜BH-DFBレーザ, 電子情報通信学会レーザ・量子エレクトロニクス研究会, 電子情報通信学会レーザ・量子エレクトロニクス研究会, 電子情報通信学会, Vol. 東京, no. LQE2007-21, pp. 19-22, June 2007.
• 丸山武男, 奥村忠嗣, 金丸正樹, 阪本真一, 荒井滋久. 導波路集積型SOI基板上GaInAsP/InP薄膜DFBレーザ, 第54回応用物理学関係連合講演会, Vol. 神奈川, No. 28a-SG-11, Mar. 2007.
• 内藤秀幸, 阪本真一, 大竹守, 奥村忠嗣, 丸山武男, 西山伸彦, 荒井滋久. エアブリッジ構造を用いたGaInAsP/InP半導体薄膜BH-DFBレーザ, 第54回応用物理学関係連合講演会, 第54回応用物理学関係連合講演会, Vol. 神奈川, No. 28p-SG-11, p. 1225, Mar. 2007.
• 丸山武男, 奥村忠嗣, 金丸正樹, 阪本真一, 荒井滋久. SOI基板上導波路集積型BH-DFB半導体薄膜レーザ, 電子情報通信学会シリコンフォトニクス研究会, Vol. 東京, No. SiPH2006-11, pp. 49-52, Jan. 2007.
• 奥村忠嗣, 丸山武男, 阪本真一, 西本頼史, 荒井滋久. 直接貼り付け法によるSOI基板上GaInAsP/InP半導体薄膜レーザ, 電子情報通信学会レーザ・量子エレクトロニクス研究会, Vol. 東京, No. LQE2006-104, pp. 7-12, Dec. 2006.
• 丸山武男, 奥村忠嗣, 阪本真一, 荒井滋久. 直接貼付法によるSOI基板上GaInAsP/InP薄膜DFBレーザ, 第67回応用物理学会学術講演会, Vol. 滋賀, No. 29a-ZT-15, p. Digest III-p. 1049, Aug. 2006.
• Takeo Maruyama, Tadashi Okumura, Shinichi Sakamoto, Koji Miura, Yoshifumi Nishimoto, SHIGEHISA ARAI. Direct bonding of GaInAsP/InP membrane structure on SOI wafer, The 18th Indium Phosphide and Related Materials Conference (IPRM2006), The 18th Indium Phosphide and Related Materials Conference, Vol. WP-2, May 2006.
• 丸山武男, 奥村忠嗣, 荒井滋久. SOI 基板上へのGaInAsP/InP 薄膜直接貼り付け, 第53回応用物理学関係連合講演会, Vol. 東京, No. 24a-B-6, Mar. 2006.

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