論文

• Wenbo Lin, Shinjiro Iwata, Koichi Fukuda, Yasuyuki Miyamoto. Scaling limit for InGaAs/GaAsSb heterojunction double-gate tunnel FETs from the viewpoint of direct band-to-band tunneling from source to drain induced off-characteristics deterioration, Japanese Journal of Applied Physics, Vol. 55, No. 7, pp. 070303, June 2016.  公式リンク  
  
• 岩田 真次郎, 大橋 一水, 林 文博, 福田 浩一, 宮本 恭幸. GaAsSb/InGaAsダブルゲートンネルFET におけるソースおよびドレイン不純物濃度依存性, 電気学会論文誌C, Vol. 136, no. 4, pp. 467-473, Apr. 2016.
• K. Ohashi, M. Fujimatsu, S. Iwata, Y. Miyamoto. Body width dependence of subthreshold slope and on-current in GaAsSb/InGaAs double-gate vertical tunnel FETs, Jpn. J. Appl.Phys., Vol. 54, Number 4S, Apr. 2015.

国際会議発表 (査読有り)

• N. Kise, S. Iwata, R. Aonuma, K. Ohsawa, Y. Miyamoto. GaAsSb/InGaAs Double-Gate Vertical Tunnel FET with a Subthreshold Swing of 68mV/dec at Room Temperature, Compound Semiconductor Week 2017, C804, May 2017.
• Y. Miyamoto, W. Lin, S.Iwata, K. Fukuda. Steep sub-threshold slope in short-channel InGaAs TFET (Invited), The 18th International Symposium on the Physics of Semiconductors and Applications (ISPSA-2016), A6-I-01, July 2016.
• S. Iwata, W. Lin, K. Fukuda, Y. Miyamoto. Design of drain for low off current in GaAsSb/InGaAs tunnel FETs, 2015 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM), Sept. 2015.

国際会議発表 (査読なし・不明)

• Y. Miyamoto, M. Fujimatsu, K. Ohashi, A. Yukimachi, S. Iwata. Steep subthreshold slope in InGaAs MOSFET, SemiconNano2015, Sept. 2015.
• Y. Miyamoto, T. Kanazawa, Y. Yonai, K. Ohsawa, Y. Mishima, M. Fujimatsu, K. Ohashi, S. Nestu, S. Iwata. InGaAs channel for low supply voltage, 2015 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM), Sept. 2015.

国内会議発表 (査読なし・不明)

• 岩田 真次郎, 大橋 一水, 祢津 誠晃, 福田 浩一, 宮本 恭幸. GaAsSb/InGaAsヘテロ接合を用いたダブルゲートトンネルFETにおける界面準位の導入による性能の劣化, 第76回応用物理学会秋季学術講演会, 16a-1C-6, Sept. 2018.
• 木瀬 信和, 岩田 真次郎, 青沼 遼介, 宮本 恭幸. [8a-S22-1] 68mV/decのSSをもつGaAsSb/InGaAsダブルゲートトンネルFET, 第78回応用物理学会秋季学術講演会, Sept. 2017.
• 青沼遼介, 岩田真次郎, 木瀬信和, 宮本恭幸. 68mV/decのSSを持つGaAsSb/InGaAs縦型ダブルゲートトンネルFET, 電気学会電子デバイス研究会, EDD-17-051, Mar. 2017.
• 岩田 真次郎, 木瀬 信和, 青沼 遼介, 宮本 恭幸. [16p-412-5] GaAsSb/InGaAsヘテロ接合を用いたダブルゲートトンネルFETにおける不純物濃度調整によるオン電流の向上, 第64回応用物理学会春季学術講演会, Mar. 2017.
• 林 文博, 岩田 真次郎, 福田 浩一, 宮本 恭幸. 短チャネルTFET におけるソース-ドレイン間直接トンネリングのオフ電流への寄与, 第63回応用物理学会春季学術講演会, Mar. 2016.  公式リンク  
  
• 岩田真次郎, 大橋一水, 宮本恭幸. GaAsSb/InGaAsヘテロ接合を用いたダブルゲートトンネルFETにおけるI-V特性の不純物濃度依存性, 電子情報通信学会 総合大会, Mar. 2015.

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