論文

• Tomoyuki Miyamoto, Satoru Tanabe, Rei Nishio, Yoshitaka Kobayashi, Ryoichiro Suzuki. InAs quantum dot growth on a thin GaNP buffer layer on GaP by metalorganic chemical vapor deposition, Jpn. J. Appl. Phys., vol. 51, no. 8, Aug. 2012.
• Tomoyuki Sengoku, Ryoichiro Suzuki, Kosuke Nemoto, Satoru Tanabe, Fumio Koyama, Tomoyuki Miyamoto. Photoluminescence characteristics of InAs quantum dots with GaInP cover layer grown by metalorganic chemical vapor deposition, Jpn. J. Appl. Phys., vol. 48, no. 7R, pp. 070203-1-3, July 2009.

国際会議発表 (査読有り)

• Rei Nishio, Satoru Tanabe, Ryoichiro Suzuki, Kosuke Nemoto, Tomoyuki Miyamoto. Reduction of surface roughness of GaP on Si substrate using strained GaInP interlayer by MOCVD, 2010 International Conference on Indium Phosphide and Related Materials, May 2010.
• Satoru Tanabe, Ryoichiro Suzuki, Kosuke Nemoto, Rei Nishio, Tomoyuki Miyamoto. InAs QDs grown on GaP buffer layer on Si substrate, The 37th International Symposium on Compound Semiconductors, May 2010.
• Ryoichiro Suzuki, Tomoyuki Miyamoto, Tomoyuki Sengoku, Kosuke Nemoto, Satoru Tanabe, Rei Nishio, Fumio Koyama. InAs quantum dots on GaInNAs buffer layer, 36th International Symposium on Compound Semiconductors, pp. 133-134, Aug. 2009.
• Satoru Tanabe, Ryoichiro Suzuki, Tomoyuki Sengoku, Kosuke Nemoto, Tomoyuki Miyamoto. InAs QDs on thin GaP<small>_1-x</small>N<small>_x</small> buffer on GaP by MOCVD, 2009 International Conference on Indium Phosphide and Related Materials (IPRM2009), May 2009.

国内会議発表 (査読有り)

• 西尾礼, 田辺悟, 根本幸祐, 鈴木亮一郎, 宮本智之. MOCVD法によるSi基板上GaP成長における歪GaInP中間層を用いた表面ラフネスの改善, 第29回電子材料シンポジウム, July 2010.
• 田辺 悟, 西尾礼, 鈴木亮一郎, 根本幸祐, 宮本智之. MOCVD 法によるSi 基板上及びGaP 基板上InAs 量子ドットの成長特性, 第29回電子材料シンポジウム (EMS-29), July 2010.
• 根本 幸祐, 鈴木 亮一郎, 仙石 知行, 田辺 悟, 小山 二三夫, 宮本 智之. InAs quantum dots on GaInNAs buffer layer, 第28回電子材料シンポジウム, July 2009.
• 田辺 悟, 鈴木 亮一郎, 仙石 知行, 根本 幸祐, 宮本 智之. Characterization of InAs QDs on a thin GaPN buffer layer by MOCVD, 第28回電子材料シンポジウム, July 2009.

国内会議発表 (査読なし・不明)

• 小林由貴, 古川聖紘, 田辺 悟, 西尾 礼, 宮本智之. MOCVD法によるGaP基板上GaNAsP/Ga(N)P3重量子井戸の成長特性と発光評価, 第71回応用物理学会学術講演会, Aug. 2011.
• 小林由貴, 田辺悟, 西尾礼, 宮本智之. MOCVD法によるGaP基板上GaAsP 3重量子井戸の成長特性と発光評価, 第58回応用物理学関係連合講演会, Mar. 2011.
• 田辺悟, 西尾礼, 小林由貴, 宮本智之. GaP基板上へのGaInPバッファ上GaInAs量子ドット成長, 第58回応用物理学関係連合講演会, Mar. 2011.
• 西尾礼, 田辺悟, 小林由貫, 宮本智之. MOCVD法によるGaP基板上GaNAsP/GaP量子井戸の成長と発光特性, 第58回応用物理学関係連合講演会, Mar. 2011.
• 田辺悟, 西尾礼, 小林由貴, 根本幸祐, 宮本智之. Si基板上へのGaNP層及びInAs系量子ドット成長の検討, 電子情報通信学会レーザ・量子エレクトロニクス研究会(LQE), Nov. 2010.
• 根本幸祐, 鈴木亮一郎, 仙石知行, 田辺悟, 西尾礼, 小山二三夫, 宮本智之. MOCVD 成長GaInNAs バッファ上InAs/GaAs 量子ドットの水素パッシベート効果, 第71回応用物理学会学術講演会, Sept. 2010.
• 田辺悟, 鈴木亮一郎, 根本幸祐, 西尾礼, 宮本智之. Si基板上GaP上へのInAs量子ドット成長, 第57回応用物理学関連連合講演会, Mar. 2010.
• 西尾礼, 田辺悟, 根本幸祐, 鈴木亮一郎, 宮本智之. MOCVD法によるSi基板上GaP成長における歪GaInP中間層を用いた表面ラフネスの改善, 第57回応用物理学関連連合講演会, Mar. 2010.
• 田辺悟, 鈴木亮一郎, 仙石知行, 根本幸祐, 西尾礼, 宮本智之. MOCVD成長によるSi上GaPの表面モフォロジーの成長条件依存性, 第70回応用物理学会学術講演会, Sept. 2009.
• 根本幸祐, 鈴木亮一郎, 仙石知行, 田辺悟, 西尾礼, 小山二三夫, 宮本智之. MOCVD法によるGaInNAsバッファ層上InAs量子ドットの熱アニール特性, 第70回応用物理学会学術講演会, Sept. 2009.
• 田辺 悟, 鈴木亮一郎, 仙石知行, 根本幸祐, 小山二三夫, 宮本智之. GaPNバッファ層を用いたGaP基板上InAs 量子ドット成長, 第56回応用物理学関連連合講演会, Mar. 2009.
• 仙石知行, 宮本智之, 鈴木亮一郎, 根本幸祐, 田辺 悟, 小山二三夫. MOCVD法によるGaInNAsバッファ層上InAs量子ドットの高密度化, 第56回応用物理学関連連合講演会, Mar. 2009.
• 仙石知行, 鈴木亮一郎, 根本幸祐, 田辺悟, 小山二三夫, 宮本智之. GaInPカバー層を用いたInAs量子ドットの発光特性, 第69回応用物理学会学術講演会, Sept. 2008.

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