論文

• N. Kadotani, T. Ohashi, T. Takahashi, S. Oda, K. Uchida. Experimental Study on Electron Mobility in Accumulation-Mode Silicon-on-Insulator Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistors, Japanese Journal of Applied Physics, Vol. 50, pp. 094101 (7 pages), Sept. 2011.
• N. Kadotani, T. Takahashi, T. Ohashi, S. Oda, K. Uchida. Electron mobility enhancement in nanoscale silicon-on-insulator diffusion layers with high doping concentration of greater than 1E18 cm-3 and silicon-on-insulator thickness of less than 10 nm, Journal of Applied Physics, Vol. 110, pp. 034502. (7 pages), 2011.

国際会議発表 (査読有り)

• N. Kadotani, T. Takahashi, K. Chen, T. Kodera, S. Oda, K. Uchida. Anomalous Electron Mobility in Extremely-Thin SOI (ETSOI) Diffusion Layers with SOI Thickness of Less Than 10 nm and High Doping Concentration of Greater Than 1×1018cm-3, EDM2010, Dec. 2010.

国内会議発表 (査読なし・不明)

• 黒澤裕也, 角谷直哉, 高橋綱己, 大橋輝之, 小田俊理, 内田建. 不純物のイオン化エネルギー増大によるナノワイヤトランジスタの電気的特性に与える影響, 第74回応用物理学会秋季学術講演会, Sept. 2013.
• 黒澤裕也, 角谷直哉, 高橋綱己, 大橋輝之, 小田俊理, 内田 建. ナノ薄膜SOI における不純物のイオン化エネルギー増大, 第59回応用物理学関係連合講演会, 17a-A1-4, Mar. 2012.
• 角谷直哉, 高橋綱己, 大橋輝之, 小寺哲夫, 小田俊理, 内田 建. 高不純物濃度のETSOI(Extremely-Thin SOI) 拡散層における移動度とSOI 膜厚および不純物濃度の関係, 第58回応用物理学関係連合講演会, Mar. 2011.
• 角谷直哉, 高橋綱己, 小寺哲夫, 小田俊理, 内田 建. pn接合の無い極薄膜SOIトランジスタの作製と電気特性評価, 第71回応用物理学会学術講演会, 16a-ZE-2, Sept. 2010.

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