論文

• Shoichi Yoshitomi, Shotaro Tadano, Kentaro Yamanaka, Nobuhiko Nishiyama, Shigehisa Arai. Lasing characteristics of 1.3-µm npn-AlGaInAs transistor-laser with narrower-bandgap p-GaInAsP base layer on semi-insulating InP substrate, Japanese Journal of Applied Physics, Volume 57, Number 1, p. 012102, Dec. 2017.
• Takaaki Kaneko, Takumi Yoshida, Shotaro Tadano, Nobuhiko Nishiyama, SHIGEHISA ARAI. Improvement in the current-gain of a 1.3-µm npn-AlGaInAs/InP transistor laser using a thin p-GaInAsP base layer, Japanese Journal of Applied Physics, Vol. 55, No. 7, pp. 070301-1-070301-4, June 2016.  公式リンク  
  

国際会議発表 (査読有り)

• Kentarou Yamanaka, Shotaro Tadano, Shoichi Yoshitomi, Nobuhiko Nishiyama, SHIGEHISA ARAI. Base Layer Design for Voltage Modulation in 1.3-μm Wavelength npn-AlGaInAs/InP Transistor Lasers, The 24th Cogress of the International Commission for Optics(ICO-24), M1J-06, Aug. 2017.
• Shoichi Yoshitomi, Shotaro Tadano, Kentarou Yamanaka, Nobuhiko Nishiyama, SHIGEHISA ARAI. Lasing Characteristics of 1.3-µm npn-AlGaInAs/InP Transistor Laser with Reduced Base Bandgap Structure, The 12th Conference on Lasers and Electro-Optics Pacific Rim (CLEO-PR 2017), No. 1-3G-5, July 2017.
• Kentarou Yamanaka, Shotaro Tadano, Shoichi Yoshitomi, Nobuhiko Nishiyama, SHIGEHISA ARAI. Effect of GaInAsP Absorption Layer Composition on Voltage Modulation in 1.3-μm Wavelength npn-AlGaInAs/InP Transistor Lasers, The 29th International Conference on Indium Phosphide and Related Materials (IPRM), C2-2, May 2017.
• Shotaro Tadano, Takaaki Kaneko, Kentarou Yamanaka, Nobuhiko Nishiyama, SHIGEHISA ARAI. Analysis of Voltage Dependence on Lasing Characteristics of 1.3-μm npn-AlGaInAs/InP Transistor Lasers, The 28th International Conference on Indium Phosphide and Related Materials (IPRM), No. ThD1-6, June 2016.
• Takaaki Kaneko, Takumi Yoshida, Shotaro Tadano, Nobuhiko Nishiyama, SHIGEHISA ARAI. Dynamic Behavior of 1.3-μm npn-AlGaInAs/InP Transistor Lasers under Collector-Base Voltage Loss-modulation, The 11th Conference on Lasers and Electro-Optics Pacific Rim (CLEO-PR 2015), No. 26J2-2, Aug. 2015.
• Takaaki Kaneko, Takumi Yoshida, Shotaro Tadano, Nobuhiko Nishiyama, Shigehisa Arai. Lasing Characteristics of 1.3-μm npn-AlGaInAs/InP Transistor Laser with Thin Current Injection Base Layer, Compound Semiconductor Week 2015, 27th International Conference on Indium Phosphide and Related Materials., No. O6.4, June 2015.

国際会議発表 (査読なし・不明)

• Shoichi Yoshitomi, Shotaro Tadano, Kentarou Yamanaka, Nobuhiko Nishiyama, SHIGEHISA ARAI. Thermal Characteristics of 1.3-μm npn-AlGaInAs/InP Transistor Laser with Au Plating, The 24th Congress of the International Commission for Optics, Th1J-07, Aug. 2017.

国内会議発表 (査読なし・不明)

• 吉冨翔一, 只野翔太郎, 山中健太郎, 西山伸彦, 荒井滋久. 1.3 µm帯トランジスタレーザにおける電流増幅率と 温度安定性の向上, 電子情報通信学会 光エレクトロニクス（OPE）研究会 2018年度1月研究会, Jan. 2018.
• 山中健太郎, 只野翔太郎, 吉冨翔一, 西山伸彦, 荒井滋久. 1.3μm帯npn-AlGaInAs/InPトランジスタレーザの電圧変調動作に向けたGaInAsP吸収層組成の検討, 電子情報通信学会 2017年総合大会, No. C4-8, Mar. 2017.
• 吉冨翔一, 只野翔太郎, 山中健太郎, 西山伸彦, 荒井滋久. p-GaInAsPベース層バンドギャップ低減による1.3-μm帯npn-AlGaInAs/InPトランジスタレーザの電流増幅率の向上, 第64回応用物理学会春季学術講演会, No. 15p-422-14, Mar. 2017.
• 吉冨翔一, 只野翔太郎, 山中健太郎, 西山伸彦, 荒井滋久. 1.3-μm帯npn-AlGaInAs/InPトランジスタレーザにおける高速電圧変調動作に向けた電気的応答特性の解析, 第78回応用物理学会秋季学術講演会, No. 6p-C14-16, Mar. 2017.
• 吉冨翔一, 只野翔太郎, 山中健太郎, 西山伸彦, 荒井滋久. 1.3-μm帯npn-AlGaInAs/InPトランジスタレーザにおける熱特性の向上, 電子情報通信学会 光エレクトロニクス（OPE）研究会 2017年度4月研究会, 2017.
• 山中健太郎, 金子貴晃, 只野翔太郎, 西山伸彦, 荒井滋久. 1.3 μm 帯 npn-AlGaInAs/InP トラン ジスタレーザにおける 発振波長のコレクタ－ベース電圧依存性, 電子情報通信学会 光エレクトロニクス（OPE）研究会 2016年度4月研究会, Apr. 2016.
• 只野翔太郎, 金子貴晃, 山中健太郎, 西山伸彦, 荒井滋久. 1.3μm帯npn-AlGaInAs/InPトランジスタレーザにおける 光出力特性と電気特性の評価, 電子情報通信学会 2016年総合大会, No. C4-4, Mar. 2016.
• 只野翔太郎, 金子貴晃, 山中健太郎, 西山伸彦, 荒井滋久. 埋め込みヘテロ構造を用いた1.3-µm帯npn-AlGaInAs/InP トランジスタレーザの特性評価, 電子情報通信学会 光エレクトロニクス（OPE）研究会 2016年度1月研究会, LQE-5, Jan. 2016.
• 金子貴晃, 吉田匠, 只野翔太郎, 西山伸彦, 荒井滋久. 1.3μm帯npn-AlGaInAs/InPトランジスタレーザにおけるコレクタ-ベース間電圧変調動作特性, 電子情報通信学会 2015年ソサイエティ大会, No. C4-2, Sept. 2015.
• 只野翔太郎, 吉田匠, 金子貴晃, 西山伸彦, 荒井滋久. 薄膜化したp-GaInAsPベース層を有する 1.3-μm帯npn-AlGaInAs/InP トランジスタレーザの発振特性, 第76回応用物理学会秋季学術講演会, No. 16p-2E-3, Sept. 2015.
• 只野翔太郎, 吉田匠, 金子貴晃, 西山伸彦, 荒井滋久. 1.3 μm 帯 npn-AlGaInAs/InP トランジスタレーザにおける ベース層薄膜化によるキャリア引き抜き量の向上, 電子情報通信学会 光エレクトロニクス（OPE）研究会 2015年度4月研究会, P2, 7, Apr. 2015.

[ BibTeX 形式で保存 ]    [ 論文・著書をCSV形式で保存 ]    [ 特許をCSV形式で保存 ]