論文

• Masashi Yukinari, Noriaki Sato, Nobuhiko Nishiyama, Shigehisa Arai. Spectral characteristics of a 1.3-µm npn-AlGaInAs/InP transistor laser under various operating conditions, IEICE Electronics Express, Vol. 11, No. 18, pp. 1-6, Aug. 2014.
• Noriaki Sato, Mizuki Shirao, Takashi Sato, Masashi Yukinari, Nobuhiko Nishiyama, Tomohiro Amemiya, Shigehisa Arai. Design and Characterization of AlGaInAs/InP Buried Heterostructure Transistor Lasers Emitting at 1.3-µm Wavelength, IEEE J. Select. Top. Quantum Electron., Vol. 19, No. 4, pp. 1502608, July 2013.  公式リンク  
  
• Noriaki Sato, Mizuki Shirao, Takashi Sato, Masashi Yukinari, Nobuhiko Nishiyama, Tomohiro Amemiya, Shigehisa Arai. Room-Temperature Continuous-Wave Operation of npn-AlGaInAs Transistor Laser Emitting at 1.3-um Wavelength, IEEE Photonics Technol. Lett., Vol. 25, No. 8, pp. 728-730, Feb. 2013.  公式リンク  
  

国際会議発表 (査読有り)

• Takumi Yoshida, Takaaki Kaneko, Masashi Yukinari, Nobuhiko Nishiyama, SHIGEHISA ARAI. Lasing characteristics of 1.3-µm npn-AlGaInAs/InP Transistor Laser - dependence of the base layer structure, Compound Semiconductor Week 2014, 26th International Conference on Indium Phosphide and Related Materials., Mo, B2, 1, May 2014.
• Masashi Yukinari, Noriaki Sato, Nobuhiko Nishiyama, Shigehisa Arai. Spectral Characteristics under Various Operation Conditions of 1.3-μm npn-AlGaInAs/InP Transistor Laser, The 10th Conference on Lasers and Electro-Optics Pacific Rim (CLEO-PR 2013), ThK2-2, July 2013.
• Noriaki Sato, Mizuki Shirao, Takashi Sato, Masashi Yukinari, Nobuhiko Nishiyama, Tomohiro Amemiya, S. Arai. Room-Temperature Continuous-Wave Operation of a 1.3-μm npn-AlGaInAs/InP Transistor Laser, 23rd IEEE International Semiconductor Laser Conference (ISLC 2012), No. MA7, Oct. 2012.  公式リンク  
  

国内会議発表 (査読なし・不明)

• 金子貴晃, 行成元志, 吉田匠, 西山伸彦, 荒井滋久. 1.3μm帯npn-AlGaInAs/InPトランジスタレーザにおける ベース層構造の変更による発振特性の改善, 電子情報通信学会 光エレクトロニクス（OPE）研究会 2014年度4月研究会, Apr. 2014.
• 金子貴晃, 行成元志, 吉田匠, 西山伸彦, 荒井滋久. 1.3μm帯npn-AlGaInAs/InPトランジスタレーザ発振特性の ベース層構造依存性, 電子情報通信学会 2014年総合大会, C-4-31, Mar. 2014.
• 吉田匠, 行成元志, 金子貴晃, 西山伸彦, 荒井滋久. ベース層の広禁制帯幅化による1.3 µm帯npn-AlGaInAs/InP トランジスタレーザの発振特性改善, 第3回IPDA研究会, P03, Jan. 2014.
• 行成 元志, 佐藤 憲明, 西山 伸彦, 荒井 滋久. 1.3μm帯npn-AlGaInAs/InPトランジスタレーザ発光スペクトルの動作条件依存性, 電気情報通信学会 2013年ソサイエティ大会, C-4-26, Sept. 2013.

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