論文

• "Y. Wu", "H. Hasegawa", "K. Kakushima", "K. Ohmori", "T. Watanabe", "A. Nishiyama", "N. Sugii", "H. Wakabayashi", "K. Tsutsui", "Y. Kataoka", "K. Natori", "K. Yamada", "H. Iwai". A novel hetero-junction Tunnel-FET using Semiconducting silicide-Silicon contact and its scalability, Microelectronics Reliability, Vol. 54, No. 5, pp. 899-904, May 2014.
• W. Feng, R. Hettiarachchi, Soshi Sato, Kuniyuki KAKUSHIMA, M. Niwa, HIROSHI IWAI, Keisaku Yamada, Kenji Ohmori. Advantages of Silicon Nanowire Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistors over Planar Ones in Noise Properties, Japanese Journal of Applied Physics, Vol. 51, pp. 04DC06-1-04DC06-5, Apr. 2012.
• Soshi Sato, Kuniyuki KAKUSHIMA, Kenji Ohmori, KENJI NATORI, Keisaku Yamada, HIROSHI IWAI. Electrical characteristics of asymmetrical silicon nanowire field-effect transistors, APPLIED PHYSICS LETTERS, Vol. 99, No. 22, pp. 223518-1-3, Nov. 2011.
• Soshi Sato, Kuniyuki KAKUSHIMA, Ahmet Parhat, Kenji Ohmori, KENJI NATORI, Keisaku Yamada, HIROSHI IWAI. Effects of corner angle of trapezoidal and triangular channel cross-sections on electrical performance of silicon nanowire field-effect transistors with semi gate-around structure, Solid-State Electronics, Vol. 65-66, pp. 2-8, Nov. 2011.
• Soshi Sato, Wei Li, Kuniyuki KAKUSHIMA, Kenji Ohmori, KENJI NATORI, Keisaku Yamada, HIROSHI IWAI. Eatraction of additional interfacial states of silicon nanowire field-effect transistors, APPLIED PHYSICS LETTERS, Vol. 98, June 2011.
• HIROSHI IWAI, KENJI NATORI, Kenji Shiraishi, 岩田 潤一, 押山 淳, Keisaku Yamada, Kenji Ohmori, Kuniyuki KAKUSHIMA, Ahmet Parhat. Si nanowire FET and its modeling, Science China, Vol. 54, No. 5, pp. 1004-1011, May 2011.
• Soshi Sato, Kuniyuki KAKUSHIMA, Ahmet Parhat, Kenji Ohmori, KENJI NATORI, Keisaku Yamada, HIROSHI IWAI. Structural advantages of rectangular-like channel cross-section on electrical characteristics of silicon nanowire field-effect transistors, Microelectronics Reliability, Vol. 51, pp. 879-884, May 2011.
• Soshi Sato, Kenji Ohmori, Kuniyuki KAKUSHIMA, Ahmet Parhat, KENJI NATORI, Keisaku Yamada, HIROSHI IWAI. Experimental Characterization of Quasi-Fermi Pontential Profile in the Channel of a Silicon Nanowire Field-Effect Transistor with Four-Terminal Geometry, Applied Physics Express, Vol. 4, No. 044201, Apr. 2011.

国際会議発表 (査読有り)

• Soshi Sato, Kuniyuki KAKUSHIMA, Ahmet Parhat, Kenji Ohmori, KENJI NATORI, Keisaku Yamada, HIROSHI IWAI. Structural Effects of Channel Cross-section on a Gate Capacitance of Silicon Nanowire Field-Effect Transistors, CSTIC2011, 2011.
• Kenji Ohmori, W. Feng, Soshi Sato, R. Hettiarachchi, M. Sato, T. Matsuki, Kuniyuki KAKUSHIMA, HIROSHI IWAI, Keisaku Yamada. Direct Real-Time Observation of Channel Potential Fluctuation, Correlated to Random Telegraph Noise of Drain Current Using Nanowire MOSFETs with Four-Probe Terminals, 2011 Symposium on VLSI Technology, 2011.
• T. Nakayama, Kuniyuki KAKUSHIMA, O. Nakatsuka, Y. Machida, S. Sotome, T. Matsuki, Kenji Ohmori, HIROSHI IWAI, S. Zaima, 知京豊裕, Kenji Shiraishi, Keisaku Yamada. Theory of Workfunction Control of Silicides by Doping for Future Si-Nano-Devices based on Fundamental Physics of Why Silicides Exist in Nature, 2010 IEDM, Dec. 2010.
• Soshi Sato, Yeonghun Lee, Kuniyuki KAKUSHIMA, Ahmet Parhat, Kenji Ohmori, KENJI NATORI, Keisaku Yamada, HIROSHI IWAI. Gate Semi-Around Si Nanowire FET Fabricated by Conventional CMOS Process with Very High Drivability, ESSDERC 2010, 40th European Solid-State Device Research Conference, Sept. 2010.
• Soshi Sato, Hideyuki Kamimura, Hideaki Arai, Kuniyuki KAKUSHIMA, Ahmet Parhat, Kenji Ohmori, Keisaku Yamada, HIROSHI IWAI. High-Performance Si Nanowire FET with a Semi Gate-Around Structure Suitable for Integration, ESSDERC 2009, 39th European Solid-State Device Research Conference, p. 249, Sept. 2009.

国際会議発表 (査読なし・不明)

• W. Feng, R. Hettiarachchi, Soshi Sato, Kuniyuki KAKUSHIMA, M. Niwa, HIROSHI IWAI, Keisaku Yamada, Kenji Ohmori. Advantages of Silicon Nanowire MOSFETs over Planar Ones Investigated from the Viewpoints of Static and Noise Properties, 2011 International Conference on Solid State Devices and Materials(SSDM 2011), 2011.
• Soshi Sato, Kuniyuki KAKUSHIMA, Ahmet Parhat, Kenji Ohmori, KENJI NATORI, Keisaku Yamada, HIROSHI IWAI. Influence of the cross-sectional shape for Si nanowire FETs, ,Taiwan-Japan Workshop on “Nano Devices”, 2011.
• Naoto Umezawa, Kenji Shiraishi, Kuniyuki KAKUSHIMA, Kenji Ohmori, Keisaku Yamada, 知京豊裕, HIROSHI IWAI. Relation between solubility of silicon in high-k oxides and the effect of Fermi level pinning, ECS 213th Meeting, May 2008.

国内会議発表 (査読なし・不明)

• 大毛利健二, フェン ウェイ, 佐藤創志, ヘッティアーラッチ・ランガ, 佐藤 基之, 松木 武雄, 角嶋邦之, 岩井洋, 山田啓作. ドレイン電流のランダムテレグラフノイズに相関したFETチャネルポテンシャル揺らぎの実時間直接観測, 第72回応用物理学会学術講演会, 2011.
• フェン ウェイ, ヘッティアーラッチ・ランガ, 佐藤創志, 角嶋邦之, M.Niwa, 岩井洋, 山田啓作, 大毛利健二. Advantages of Silicon Nanowire MOSFETs over Planar MOSFETs Investigated from the Aspect of Drain-Current Noise, 第72回応用物理学会学術講演会, 2011.
• 佐藤創志, 角嶋邦之, パールハットアヘメト, 大毛利健二, 名取研二, 岩井洋, 山田啓作. キャリア移動度評価によるシリコンナノワイヤトランジスタの電気特性解析, 電子情報通信学会技術研究報告 pp.11-16, June 2010.
• 佐藤創志, 角嶋邦之, パールハットアヘメト, 大毛利健治, 山田啓作, 名取研二, 岩井洋. Influence of the cross-sectional shape for Si nanowire FETs, 複合創造領域シンポジウム, 2010.
• 佐藤創志, 上村英之, 新井英朗, 角嶋邦之, パールハットアヘメト, 大毛利健二, 筒井一生, 杉井信之, 服部健雄, 山田啓作, 岩井洋. 四端子測定TEGを用いたSiナノワイヤトランジスタのチャネル内電位の測定, 第56回応用物理学関係連合講演会, 第56回応用物理学関係連合講演会予稿集, 応用物理学会, No. 2, pp. 901, Mar. 2009.
• 岩井洋, 名取研二, 白石賢二, 山田啓作, 大毛利健二, 筒井一生, 角嶋邦之, パールハットアヘメト. シリコンナノワイヤFET研究の現状とロードマップ作成の考え方, 第56回応用物理学関係連合講演会, 第56回応用物理学関係連合講演会予稿集, 応用物理学会, No. 0, pp. 155, Mar. 2009.
• 岩井洋, 山田啓作, 大毛利健二, 筒井一生, 角嶋邦之, パールハットアヘメト, 佐藤創志, 上村英之, 新井英朗. トップダウンSiナノワイヤFETの作製法とその電気的特性のサーベイ, 第56回応用物理学関係連合講演会, 第56回応用物理学関係連合講演会予稿集, 応用物理学会, No. 0, pp. 147, Mar. 2009.
• 佐藤創志, 上村英之, 新井英朗, 大毛利健二, 角嶋邦之, パールハットアヘメト, 筒井一生, 服部健雄, 杉井信之, 山田啓作, 岩井洋. Si Finのアスペクト比最適化により作製した円形Siナノワイヤの形状に関する研究, 秋季第69回応用物理学会学術講演会, 秋季第69回応用物理学会学術講演会予稿集, 応用物理学会, No. 2, pp. 735, Sept. 2008.
• 上村英之, 角嶋邦之, パールハットアヘメト, 筒井一生, 杉井信之, 大毛利 健二, 服部健雄, 岩井洋. 熱酸化によるSiナノワイヤ形状の酸化条件依存性, 春季第55回応用物理学会学術講演会, 春季第55回応用物理学会学術講演会予稿集, 応用物理学会, No. 2, pp. 913, Mar. 2008.

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