論文

• K. Takeda, T. Obata, Y. Fukuoka, W. M. Akhtar, J. Kamioka, T. Kodera, S. Oda, S. Tarucha. Characterization and suppression of low-frequency noise in Si/SiGe quantum point contacts and quantum dots, Appl. Phys. Lett, Vol. 102, pp. 123113 (3 pages), Mar. 2013.

国際会議発表 (査読有り)

• K. Takeda, Y. Fukuoka, T. Obata, J. Sailer, A. Wild, T. Kodera, K. Sawano, S. Oda, D. Bougeard, G. Abstreiter, S. Tarucha, Y Shiraki. Charge noise characterization and reduction in Si/SiGe quantum devices, 31st International Conference on the Physics of Semiconductor (ICPS2012), Aug. 2012.
• T. Kodera, Y. Fukuoka, SHUNRI ODA, K. Takeda, T. Obata, K. Yoshida, K. Sawano. Fabrication and characterization of Si/SiGe quantum dots with capping gate, IEEE Silicon Nanoelectronics Workshop, 2012.
• Y. Fukuoka, T. Kodera, K. Takeda, T. Obata, K. Yoshida, T. Otsuka, K. Sawano, K Uchida, Y. Shiraki, S. Tarucha, S. Oda. Pd Schottky gate operation voltage of Si/SiGe quantum-point-contact, G-COE PICE International Symposium and IEEE EDS Minicolloquium on Advanced Hybrid Nano Devices: Prospects by World’s Leading Scientists, P-10, Oct. 2011.
• Y. Fukuoka, T. Kodera, T. Otsuka, K. Takeda, T. Obata, K. Yoshida, K. Sawano, K Uchida, Y. Shiraki, S. Tarucha, S. Oda. Pd Schottky gate operation voltage of Si/SiGe quantum-point-contact, IEEE Silicon Nanoelectronics Workshop, No. 5-17, June 2011.

国内会議発表 (査読なし・不明)

• 福岡佑二, 小寺哲夫, 武田健太, 小幡利顕, 吉田勝治, 澤野憲太郎, 内田建, 白木靖寛, 樽茶清悟, 小田俊理. Capping gate構造を有するSi/SiGe量子ドットの作製と評価, 2012年春季第59回応用物理学関係連合学術講演会, Mar. 2012.
• 福岡佑二, 小寺哲夫, 大塚朋廣, 武田健太, 小幡利顕, 吉田勝治, 澤野憲太郎, 内田 建, 白木靖寛, 樽茶清悟, 小田俊理. Si/SiGe量子ドット構造のシミュレーションと作製, 第72回応用物理学会学術講演会, pp. 1p-P10-3, Aug. 2011.
• 福岡佑二, 小寺哲夫, 大塚朋廣, 武田健太, 小幡利顕, 吉田勝治, 澤野憲太郎, 内田 建, 白木靖寛, 樽茶清悟, 小田俊理. Si/SiGe 量子ドット作製に向けたPd トップゲート動作点の低電圧化, 第58回応用物理学関係連合講演会, 26p-KV-6, Mar. 2011.
• 福岡佑二, 小寺哲夫, 大塚朋廣, 武田健太, 小幡利顕, 吉田勝治, 澤野憲太郎, 内田 建, 白木靖寛, 樽茶清悟, 小田俊理. Si/SiGe系2DEGのPdショットゲート制御による結合量子ドットの作製, 第71回応用物理学会学術講演会, 14a-NC-1, Sept. 2010.
• 武田健太, 小幡利顕, 福岡佑二, 大塚朋廣, 小寺哲夫, 吉田勝治, 澤野憲太郎, 小田俊理, 白木靖寛, 樽茶清悟. PdショットキーゲートによるSi/SiGe量子ドットの作製とその評価, 日本物理学会秋季大会, Sept. 2010.
• Toshiaki Obata, 申潤錫, ロランドブルナ, Kenta Takeda, Yuji Fukuoka, 大塚朋廣, Tetsuo Kodera, 吉田勝治, 澤野憲太郎, SHUNRI ODA, 白木靖寛, Seigo Tarucha. Lateral dot fabrication by using a MOS electric gate on SiGe hetero structure, 日本物理学会秋季大会, Sept. 2010.

[ BibTeX 形式で保存 ]    [ 論文・著書をCSV形式で保存 ]    [ 特許をCSV形式で保存 ]