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吉田匠 研究業績一覧 (10件)
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論文
国際会議発表 (査読有り)
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Takaaki Kaneko,
Takumi Yoshida,
Shotaro Tadano,
Nobuhiko Nishiyama,
SHIGEHISA ARAI.
Dynamic Behavior of 1.3-μm npn-AlGaInAs/InP Transistor Lasers under Collector-Base Voltage Loss-modulation,
The 11th Conference on Lasers and Electro-Optics Pacific Rim (CLEO-PR 2015),
No. 26J2-2,
Aug. 2015.
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Takaaki Kaneko,
Takumi Yoshida,
Shotaro Tadano,
Nobuhiko Nishiyama,
Shigehisa Arai.
Lasing Characteristics of 1.3-μm npn-AlGaInAs/InP Transistor Laser with Thin Current Injection Base Layer,
Compound Semiconductor Week 2015, 27th International Conference on Indium Phosphide and Related Materials.,
No. O6.4,
June 2015.
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Takumi Yoshida,
Takaaki Kaneko,
Masashi Yukinari,
Nobuhiko Nishiyama,
SHIGEHISA ARAI.
Lasing characteristics of 1.3-µm npn-AlGaInAs/InP Transistor Laser - dependence of the base layer structure,
Compound Semiconductor Week 2014, 26th International Conference on Indium Phosphide and Related Materials.,
Mo,
B2,
1,
May 2014.
国内会議発表 (査読なし・不明)
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只野翔太郎,
吉田匠,
金子貴晃,
西山伸彦,
荒井滋久.
薄膜化したp-GaInAsPベース層を有する 1.3-μm帯npn-AlGaInAs/InP トランジスタレーザの発振特性,
第76回応用物理学会秋季学術講演会,
No. 16p-2E-3,
Sept. 2015.
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金子貴晃,
吉田匠,
只野翔太郎,
西山伸彦,
荒井滋久.
1.3μm帯npn-AlGaInAs/InPトランジスタレーザにおけるコレクタ-ベース間電圧変調動作特性,
電子情報通信学会 2015年ソサイエティ大会,
No. C4-2,
Sept. 2015.
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只野翔太郎,
吉田匠,
金子貴晃,
西山伸彦,
荒井滋久.
1.3 μm 帯 npn-AlGaInAs/InP トランジスタレーザにおける ベース層薄膜化によるキャリア引き抜き量の向上,
電子情報通信学会 光エレクトロニクス（OPE）研究会 2015年度4月研究会,
P2,
7,
Apr. 2015.
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金子貴晃,
行成元志,
吉田匠,
西山伸彦,
荒井滋久.
1.3μm帯npn-AlGaInAs/InPトランジスタレーザにおける ベース層構造の変更による発振特性の改善,
電子情報通信学会 光エレクトロニクス（OPE）研究会 2014年度4月研究会,
Apr. 2014.
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金子貴晃,
行成元志,
吉田匠,
西山伸彦,
荒井滋久.
1.3μm帯npn-AlGaInAs/InPトランジスタレーザ発振特性の ベース層構造依存性,
電子情報通信学会 2014年総合大会,
C-4-31,
Mar. 2014.
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吉田匠,
行成元志,
金子貴晃,
西山伸彦,
荒井滋久.
ベース層の広禁制帯幅化による1.3 µm帯npn-AlGaInAs/InP トランジスタレーザの発振特性改善,
第3回IPDA研究会,
P03,
Jan. 2014.
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