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青沼遼介 研究業績一覧 (14件)
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論文
国際会議発表 (査読有り)
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A. Hayasaka,
R. Aonuma,
K. Hotta,
I. Makabe,
S. Yoshida,
Y. Miyamoto.
N-polar GaN HEMT with Al2O3 gate insulator,
Compound Semiconductor Week 2019,
MoP-G-8 (Poster),
May 2019.
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Y. Miyamoto,
N. Kise,
R. Aonuma.
GaAsSb/InGaAs double gate tunnel FET operating below 60 mv/decade and temperature dependence of band-edge decay parameters,
2018 Workshop on Innovative Nanoscale Devices and Systems (WINDS),
P7,
Nov. 2018.
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R. Aonuma,
N. Kise,
Y. Miyamoto.
Improvement in GaAsSb/InGaAs double-gate tunnel FET using thermal evaporation for gate electrode and Al2O3/ZrO2 for gate insulator,
2018 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM 2018),
PS-1-14,
Sept. 2018.
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Toru Kanazawa,
Kazuto Ohsawa,
Tomohiro Amemiya,
Nobukazu Kise,
Ryosuke Aonuma,
Yasuyuki Miyamoto.
Fabrication of InGaAs Nanosheet Transistors with Regrown Source,
Compound Semiconductor Week (CSW2018),
We3C3.2,
May 2018.
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N. Kise,
S. Iwata,
R. Aonuma,
K. Ohsawa,
Y. Miyamoto.
GaAsSb/InGaAs Double-Gate Vertical Tunnel FET with a Subthreshold Swing of 68mV/dec at Room Temperature,
Compound Semiconductor Week 2017,
C804,
May 2017.
国内会議発表 (査読なし・不明)
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早坂 明泰,
青沼 遼介,
堀田 航史,
金井 七重,
眞壁 勇夫,
吉田 成輝,
宮本 恭幸.
N極性GaN HEMT作製プロセスにおけるプラズマダメージの低減,
第80回 応用物理学会 秋季学術講演会,
18p-N302-11,
Sept. 2019.
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早坂 明泰,
青沼 遼介,
堀田 航史,
眞壁 勇夫,
吉田 成輝,
宮本 恭幸.
Al2O3ゲート絶縁膜を持つN極性GaN HEMT,
第66回応用物理学会春季学術講演会,
9p-M121-13,
Mar. 2019.
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青沼 遼介,
木瀬 信和,
宮本 恭幸.
Al2O3/ZrO2ゲート絶縁膜を使用したことによるGaAsSb/InGaAsダブルゲートトンネルFETの性能改善,
第79回応用物理学会秋季学術講演会,
21p-331-7,
Sept. 2018.
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金澤 徹,
大澤 一斗,
雨宮 智宏,
木瀬 信和,
青沼 遼介,
宮本 恭幸.
InGaAsナノシートトランジスタの作製,
第65回応用物理学会春季学術講演会,
18a-G203-3,
Mar. 2018.
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木瀬 信和,
青沼 遼介,
宮本 恭幸.
GaAsSb/InGaAsダブルゲートトンネルFETにおけるゲート金属形成プロセスの影響,
第65回応用物理学会春季学術講演会,
18p-C302-12,
Mar. 2018.
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木瀬 信和,
岩田 真次郎,
青沼 遼介,
宮本 恭幸.
[8a-S22-1] 68mV/decのSSをもつGaAsSb/InGaAsダブルゲートトンネルFET,
第78回応用物理学会秋季学術講演会,
Sept. 2017.
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岩田 真次郎,
木瀬 信和,
青沼 遼介,
宮本 恭幸.
[16p-412-5] GaAsSb/InGaAsヘテロ接合を用いたダブルゲートトンネルFETにおける不純物濃度調整によるオン電流の向上,
第64回応用物理学会春季学術講演会,
Mar. 2017.
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青沼遼介,
岩田真次郎,
木瀬信和,
宮本恭幸.
68mV/decのSSを持つGaAsSb/InGaAs縦型ダブルゲートトンネルFET,
電気学会電子デバイス研究会,
EDD-17-051,
Mar. 2017.
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