論文

• K. Ohsawa, A. Kato, T. Kanazawa, E. Uehara, Y. Miyamoto. Channel thickness dependence on InGaAs MOSFET with InP source for high current density, IEICE Electronics Express, vol. 11, No. 14, pp. 1-5, July 2014.
• Atsushi Kato, Toru Kanazawa, Shunsuke Ikeda, Yosiharu Yonai, Yasuyuki Miyamoto. Reduction of access resistance of InP/InGaAs composite-channel MOSFET with back source electrode, IEICE Trans. Electron., vol. E95-C, no. 5, pp. 904-919, May 2012.
• R. Terao, T. Kanazawa, S. Ikeda, Y. Yonai, A. Kato, Y. Miyamoto. InP/InGaAs Composite MOSFETs with Regrown Source and Al2O3 gate dielectric Exhibiting Maximum Drain Current Exceeding 1.3 mA/μm, Applied Phys. Exp., The Japan Society of Applied Physics, vol. 4, no. 5, 054201, Apr. 2011.

国際会議発表 (査読有り)

• K. Ohsawa, A. Kato, T. Sagai, T. Kanazawa, E. Uehara, Y. Miyamoto. Channel thickness dependence on InGaAs MOSFET with n-InP source for high current density, 10th Topical Workshop on Heterostructure Microelectronics (TWHM 2013), 2-9, pp. 19-20, Sept. 2013.
• A. Kato, T. Kanazawa, Eiji Uehara, Y. Yonai, Y. Miyamoto. Sub-50-nm InGaAs MOSFET with n-InP source on Si substrate, 25th Int. Conf. Indium Phosphide and Related Materials (IPRM2013), May 2013.
• A. Kato, T. Kanazawa, S. Ikeda, Y. Yonai, YASUYUKI MIYAMOTO. Reduction of Access Resistance of InP/InGaAs Composite-Channel MOSFET with A Back Source Electrode, 2011 Asia-Pacific Workshop on Fundamentals and Applications of Advanced Semiconductor Devices（AWAD), Sept. 2011.  公式リンク  
  

国際会議発表 (査読なし・不明)

• Y. Miyamoto, T. Kanazawa, Y. Yonai, A. Kato, M. Fujimatsu, M. Kashiwano, K. Ohsawa, K. Ohashi. (Invited) InGaAs MOSFET Source Structures Toward High Speed/low Power Applications, 26th International Conference on InP and Related Materials (IPRM 2014), May 2014.
• Y. Miyamoto, T. Kanazawa, Y. Yonai, A. Kato, K. Ohsawa, M. Oda, T. Irisawa, T. Tezuka. Heavily doped epitaxially grown source in InGaAs MOSFET for high drain current density, 44th IEEE Semiconductor Interface Specialists Conference (SICS 2013), Dec. 2013.

国内会議発表 (査読なし・不明)

• 宮本恭幸, 金澤 徹, 米内義晴, 加藤 淳, 藤松基彦, 柏野壮志, 大澤一斗, 大橋一水. 低電圧/高速動作にむけたInGaAs MOSFETソース構造, 電子情報通信学会 電子デバイス研究会, IEICE Technical Report, Aug. 2014.
• 大澤一斗, 加藤淳, 佐賀井健, 金澤徹, 上原英治, 宮本恭幸. 高電流密度化に向けたInPソースを有するIII-V-OI InGaAs MOSFETのチャネル厚依存性, 第74回秋季応用物理学会学術講演会, Sept. 2013.
• 加藤淳, 米内義晴, 金澤徹, 宮本恭幸. Si 基板上 InGaAs-MOSFET の微細化に関する研究, 第 60 回応用物理学会春季学術講演会, Mar. 2013.
• 加藤淳, 米内義晴, 金澤徹, 宮本恭幸. Si 基板上 InGaAs-MOSFET の微細化に関する研究, 第73 回応用物理学会学術講演会, Sept. 2012.
• 加藤淳, 金澤徹, 宮本恭幸. ソース裏面電極によるInP/InGaAsコンポジットチャネルMOSFETのアクセス抵抗低減, 電子情報通信学会2011年ソサイエティ大会, Sept. 2011.
• 金澤 徹, 寺尾 良輔, 山口 裕太郎, 池田 俊介, 米内 義晴, 加藤 淳, 宮本 恭幸. 裏面電極を有するⅢ－Ⅴ族量子井戸型チャネルMOSFET, 電子情報通信学会電子デバイス研究会, Jan. 2011.
• 金澤徹, 寺尾良輔, 山口裕太郎, 池田俊介, 米内義晴, 加藤淳, 宮本恭幸. Si基板上貼付された裏面電極付InP/InGaAs MOSFET, 第71回応用物理学会学術講演会, Sept. 2010.
• 寺尾良輔, 金澤徹, 池田俊介, 米内義晴, 加藤淳, 宮本恭幸. Al2O3ゲート絶縁膜および再成長ソースを有するサブミクロンInP/InGaAs n-MOSFET, 第71回応用物理学会学術講演会, Sept. 2010.

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