論文

• Y. Miyamoto, T. Kanazawa, N. Kise, H. Kinoshita, K. Ohsawa. Regrown Source/Drain in InGaAs Multi-Gate MOSFETs, J. Crystal Growth, vol. 522, （2019）11-15, Sept. 2019.  公式リンク  
  
• K. Ohsawa, S. Netsu, N. Kise, S. Noguchi, Y. Miyamoto. Dependence of electron mobility on gate voltage sweeping width and deposition temperature in MOSFETs with HfO2/Al2O3/InGaAs gate stacks, Jpn. J. Appl. Phys., vol. 56, no. 4S, 04CG05 2017, Mar. 2017.
• K. Ohsawa, A. Kato, T. Kanazawa, E. Uehara, Y. Miyamoto. Channel thickness dependence on InGaAs MOSFET with InP source for high current density, IEICE Electronics Express, vol. 11, No. 14, pp. 1-5, July 2014.

国際会議発表 (査読有り)

• Y.Miyamoto, T. Kanazawa, N. Kise, H. Kinoshita, Kazuto Ohsawa. Regrown Source / Drain in InGaAs Multi-Gate MOSFET, 19th International Conference on Metalorganic Vapor Phase Epitaxy (ICMOVPE-XIX), P2-32, June 2018.
• Toru Kanazawa, Kazuto Ohsawa, Tomohiro Amemiya, Nobukazu Kise, Ryosuke Aonuma, Yasuyuki Miyamoto. Fabrication of InGaAs Nanosheet Transistors with Regrown Source, Compound Semiconductor Week (CSW2018), We3C3.2, May 2018.
• N. Kise, S. Iwata, R. Aonuma, K. Ohsawa, Y. Miyamoto. GaAsSb/InGaAs Double-Gate Vertical Tunnel FET with a Subthreshold Swing of 68mV/dec at Room Temperature, Compound Semiconductor Week 2017, C804, May 2017.
• K. Ohsawa, N. Kise, Y. Miyamoto. Deposition Temperature and Al2O3 Thickness Dependence on the Mobility of HfO2/Al2O3/InGaAs Gate Stacks, 2016 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM), Sept. 2016.
• K. Ohsawa, Y. Mishima, Y. Miyamoto. Operation of 13-nm channel length InGaAs-MOSFET with n-InP source, 27th International Conference on Indium Phosphide and Related Materials, July 2015.
• K. Ohsawa, A. Kato, T. Sagai, T. Kanazawa, E. Uehara, Y. Miyamoto. Channel thickness dependence on InGaAs MOSFET with n-InP source for high current density, 10th Topical Workshop on Heterostructure Microelectronics (TWHM 2013), 2-9, pp. 19-20, Sept. 2013.

国際会議発表 (査読なし・不明)

• Y. Miyamoto, T. Kanazawa, Y. Yonai, K. Ohsawa, Y. Mishima, M. Fujimatsu, K. Ohashi, S. Nestu, S. Iwata. InGaAs channel for low supply voltage, 2015 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM), Sept. 2015.
• Y. Miyamoto, T. Kanazawa, Y. Yonai, K. Ohsawa, Y. Mishima, T. Irisawa, M. Oda, T. Tezuka. (Invited) Growth Process for High Performance of InGaAs MOSFETs, 72nd Device Research Conference (DRC), June 2014.
• Y. Miyamoto, T. Kanazawa, Y. Yonai, A. Kato, M. Fujimatsu, M. Kashiwano, K. Ohsawa, K. Ohashi. (Invited) InGaAs MOSFET Source Structures Toward High Speed/low Power Applications, 26th International Conference on InP and Related Materials (IPRM 2014), May 2014.
• Y. Miyamoto, T. Kanazawa, Y. Yonai, A. Kato, K. Ohsawa, M. Oda, T. Irisawa, T. Tezuka. Heavily doped epitaxially grown source in InGaAs MOSFET for high drain current density, 44th IEEE Semiconductor Interface Specialists Conference (SICS 2013), Dec. 2013.

国内会議発表 (査読なし・不明)

• 金澤 徹, 大澤 一斗, 雨宮 智宏, 木瀬 信和, 青沼 遼介, 宮本 恭幸. InGaAsナノシートトランジスタの作製, 第65回応用物理学会春季学術講演会, 18a-G203-3, Mar. 2018.
• ⼤澤 ⼀⽃, ⾦澤 徹, ⽊瀬 信和, ⾬宮 智宏, 宮本 恭幸. InGaAsナノシートチャネルを持つマルチゲートMOSFETに向けた作製プロセス開発, 第78回応用物理学会秋季学術講演会, No. 8a-S22-2, Sept. 2017.
• 大澤 一斗, 野口 真司, 祢津 誠晃, 木瀬 信和, 宮本 恭幸. [16p-413-11] HfO2/Al2O3/InGaAsゲート構造をもつMOSFETの移動度のH2アニール後における成膜温度およびAl2O3膜厚依存性, 第64回応用物理学会春季学術講演会, Mar. 2017.
• 大澤一斗, 野口真司, 祢津誠晃, 木瀬信和, 宮本恭幸. HfO2/Al2O3/InGaAsゲート構造における移動度への成膜温度およびH2アニールの影響, 電子情報通信学会電子デバイス研究会, 信学技報, vol. 116, no. 431, pp. 35-40, Jan. 2017.
• 大澤 一斗, 木瀬 信和, 宮本 恭幸. 15p-B9-10 HfO2/Al2O3/InGaAsゲート構造における移動度の成膜温度およびAl2O3膜厚依存性, 第77回応用物理学会秋季学術講演会, Sept. 2016.
• 大澤 一斗, 三嶋 裕一, 宮本 恭幸. InGaAs-MOSFETのチャネル長微細化に関する研究, 第62回応用物理学会春季学術講演会, Mar. 2015.
• 宮本恭幸, 金澤 徹, 米内義晴, 加藤 淳, 藤松基彦, 柏野壮志, 大澤一斗, 大橋一水. 低電圧/高速動作にむけたInGaAs MOSFETソース構造, 電子情報通信学会 電子デバイス研究会, IEICE Technical Report, Aug. 2014.
• 大澤一斗, 加藤淳, 佐賀井健, 金澤徹, 上原英治, 宮本恭幸. 高電流密度化に向けたInPソースを有するIII-V-OI InGaAs MOSFETのチャネル厚依存性, 第74回秋季応用物理学会学術講演会, Sept. 2013.
• 佐賀井 健, 上原 英治, 大澤 一斗, 宮本 恭幸. n-InP ソースを持つT ゲート構造 InGaAs-MOSFET の高周波特性, 2013年電子情報通信学会総合大会, Mar. 2013.

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