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米内義晴 研究業績一覧 (21件)
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論文
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Atsushi Kato,
Toru Kanazawa,
Shunsuke Ikeda,
Yosiharu Yonai,
Yasuyuki Miyamoto.
Reduction of access resistance of InP/InGaAs composite-channel MOSFET with back source electrode,
IEICE Trans. Electron.,
vol. E95-C,
no. 5,
pp. 904-919,
May 2012.
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R. Terao,
T. Kanazawa,
S. Ikeda,
Y. Yonai,
A. Kato,
Y. Miyamoto.
InP/InGaAs Composite MOSFETs with Regrown Source and Al2O3 gate dielectric Exhibiting Maximum Drain Current Exceeding 1.3 mA/μm,
Applied Phys. Exp.,
The Japan Society of Applied Physics,
vol. 4,
no. 5,
054201,
Apr. 2011.
国際会議発表 (査読有り)
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A. Kato,
T. Kanazawa,
Eiji Uehara,
Y. Yonai,
Y. Miyamoto.
Sub-50-nm InGaAs MOSFET with n-InP source on Si substrate,
25th Int. Conf. Indium Phosphide and Related Materials (IPRM2013),
May 2013.
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A. Kato,
T. Kanazawa,
S. Ikeda,
Y. Yonai,
YASUYUKI MIYAMOTO.
Reduction of Access Resistance of InP/InGaAs Composite-Channel MOSFET with A Back Source Electrode,
2011 Asia-Pacific Workshop on Fundamentals and Applications of Advanced Semiconductor Devices（AWAD),
Sept. 2011.
公式リンク
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Yosiharu Yonai,
Toru Kanazawa,
Shunsuke Ikeda,
YASUYUKI MIYAMOTO.
High Drain Current (>2A/mm) InGaAs channel MOSFET at VD=0.5V with Shrinkage of Channel Length by InP Anisotropic Etching,
2011 IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM 2011),
2011.
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Toru Kanazawa,
Ryousuke Terao,
Yuutarou Yamaguchi,
Shunsuke Ikeda,
Yosiharu Yonai,
YASUYUKI MIYAMOTO.
InP/InGaAs MOSFET with Back-Electrode Structure Bonded on Si Substrate Using a BCB Adhesive Layer,
2010 International Conference on Solid State Devices and Materials,
pp. 129-130,
Sept. 2010.
国際会議発表 (査読なし・不明)
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Y. Miyamoto,
T. Kanazawa,
Y. Yonai,
K. Ohsawa,
Y. Mishima,
T. Irisawa,
M. Oda,
T. Tezuka.
(Invited) Growth Process for High Performance of InGaAs MOSFETs,
72nd Device Research Conference (DRC),
June 2014.
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Y. Miyamoto,
T. Kanazawa,
Y. Yonai,
A. Kato,
M. Fujimatsu,
M. Kashiwano,
K. Ohsawa,
K. Ohashi.
(Invited) InGaAs MOSFET Source Structures Toward High Speed/low Power Applications,
26th International Conference on InP and Related Materials (IPRM 2014),
May 2014.
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Y. Miyamoto,
T. Kanazawa,
Y. Yonai,
A. Kato,
K. Ohsawa,
M. Oda,
T. Irisawa,
T. Tezuka.
Heavily doped epitaxially grown source in InGaAs MOSFET for high drain current density,
44th IEEE Semiconductor Interface Specialists Conference (SICS 2013),
Dec. 2013.
国内会議発表 (査読なし・不明)
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宮本恭幸,
金澤 徹,
米内義晴,
加藤 淳,
藤松基彦,
柏野壮志,
大澤一斗,
大橋一水.
低電圧/高速動作にむけたInGaAs MOSFETソース構造,
電子情報通信学会 電子デバイス研究会,
IEICE Technical Report,
Aug. 2014.
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加藤淳,
米内義晴,
金澤徹,
宮本恭幸.
Si 基板上 InGaAs-MOSFET の微細化に関する研究,
第 60 回応用物理学会春季学術講演会,
Mar. 2013.
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加藤淳,
米内義晴,
金澤徹,
宮本恭幸.
Si 基板上 InGaAs-MOSFET の微細化に関する研究,
第73 回応用物理学会学術講演会,
Sept. 2012.
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佐賀井健,
米内義晴,
宮本恭幸.
InGaAs チャネル MOSFET の EOT 削減による 伝達コンダクタンス向上,
第 73 回応用物理学会学術講演会,
Sept. 2012.
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宮本 恭幸,
米内義晴,
金澤徹.
エヒ?タキシャル成長ソースによる InGaAs MOSFET の高電流密度化,
電気学会電子デバイス研究会,
Mar. 2012.
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宮本恭幸,
米内義晴,
金澤徹.
エピタキシャル成長ソースによるInGaAsMOSFETの高電流密度化,
電気学会電子デバイス研究会,
Mar. 2012.
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米内義晴,
金澤徹,
池田俊介,
宮本恭幸.
InPエッチング異方性による微細InGaAsチャネルMOSFET,
応用物理学会 2012年度春季大会,
Mar. 2012.
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宮本恭幸,
米内義晴,
金澤徹.
InGaAs MOSFETの高電流密度化,
電子情報通信学会技術研究報告,
Jan. 2012.
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宮本恭幸,
米内義晴,
金澤徹.
InGaAs MOSFETの高電流密度化,
電子情報通信学会 電子デバイス研究会（ED）,
Dec. 2011.
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金澤 徹,
寺尾 良輔,
山口 裕太郎,
池田 俊介,
米内 義晴,
加藤 淳,
宮本 恭幸.
裏面電極を有するⅢ－Ⅴ族量子井戸型チャネルMOSFET,
電子情報通信学会電子デバイス研究会,
Jan. 2011.
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寺尾良輔,
金澤徹,
池田俊介,
米内義晴,
加藤淳,
宮本恭幸.
Al2O3ゲート絶縁膜および再成長ソースを有するサブミクロンInP/InGaAs n-MOSFET,
第71回応用物理学会学術講演会,
Sept. 2010.
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金澤徹,
寺尾良輔,
山口裕太郎,
池田俊介,
米内義晴,
加藤淳,
宮本恭幸.
Si基板上貼付された裏面電極付InP/InGaAs MOSFET,
第71回応用物理学会学術講演会,
Sept. 2010.
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