論文

• Y. Miyamoto, T. Kanazawa, N. Kise, H. Kinoshita, K. Ohsawa. Regrown Source/Drain in InGaAs Multi-Gate MOSFETs, J. Crystal Growth, vol. 522, （2019）11-15, Sept. 2019.  公式リンク  
  
• R. Aonuma, N. Kise, Y. Miyamoto. GaAsSb/InGaAs double-gate vertical tunnel FET with a subthreshold slope of 56 mV/dec at room temperature, Jpn. J. Appl. Phys., 58, SBBA08 (2019), Mar. 2019.
• K. Ohsawa, S. Netsu, N. Kise, S. Noguchi, Y. Miyamoto. Dependence of electron mobility on gate voltage sweeping width and deposition temperature in MOSFETs with HfO2/Al2O3/InGaAs gate stacks, Jpn. J. Appl. Phys., vol. 56, no. 4S, 04CG05 2017, Mar. 2017.
• Nobukazu Kise, Haruki Kinoshita, Atsushi Yukimachi, Toru Kanazawa, Yasuyuki Miyamoto. Fin width dependence on gate controllability of InGaAs channel FinFETs with regrown source/drain, Solid-State Electronics, Vol. 126, pp. 92-95, Sept. 2016.  公式リンク  
  

国際会議発表 (査読有り)

• Y. Miyamoto, N. Kise, R. Aonuma. GaAsSb/InGaAs double gate tunnel FET operating below 60 mv/decade and temperature dependence of band-edge decay parameters, 2018 Workshop on Innovative Nanoscale Devices and Systems (WINDS), P7, Nov. 2018.
• R. Aonuma, N. Kise, Y. Miyamoto. Improvement in GaAsSb/InGaAs double-gate tunnel FET using thermal evaporation for gate electrode and Al2O3/ZrO2 for gate insulator, 2018 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM 2018), PS-1-14, Sept. 2018.
• Y.Miyamoto, T. Kanazawa, N. Kise, H. Kinoshita, Kazuto Ohsawa. Regrown Source / Drain in InGaAs Multi-Gate MOSFET, 19th International Conference on Metalorganic Vapor Phase Epitaxy (ICMOVPE-XIX), P2-32, June 2018.
• Toru Kanazawa, Kazuto Ohsawa, Tomohiro Amemiya, Nobukazu Kise, Ryosuke Aonuma, Yasuyuki Miyamoto. Fabrication of InGaAs Nanosheet Transistors with Regrown Source, Compound Semiconductor Week (CSW2018), We3C3.2, May 2018.
• N. Kise, S. Iwata, R. Aonuma, K. Ohsawa, Y. Miyamoto. GaAsSb/InGaAs Double-Gate Vertical Tunnel FET with a Subthreshold Swing of 68mV/dec at Room Temperature, Compound Semiconductor Week 2017, C804, May 2017.
• K. Ohsawa, N. Kise, Y. Miyamoto. Deposition Temperature and Al2O3 Thickness Dependence on the Mobility of HfO2/Al2O3/InGaAs Gate Stacks, 2016 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM), Sept. 2016.
• Haruki Kinoshita, Nobukazu Kise, Atsushi Yukimachi, Toru Kanazawa, Yasuyuki Miyamoto. Operation of 16-nm InGaAs channel multi-gate MOSFETs with regrown source/drain, Compound Semiconductor Week (CSW2016), TuD4-2, June 2016.

国内会議発表 (査読なし・不明)

• 青沼 遼介, 木瀬 信和, 宮本 恭幸. Al2O3/ZrO2ゲート絶縁膜を使用したことによるGaAsSb/InGaAsダブルゲートトンネルFETの性能改善, 第79回応用物理学会秋季学術講演会, 21p-331-7, Sept. 2018.
• 木瀬 信和, 青沼 遼介, 宮本 恭幸. GaAsSb/InGaAsダブルゲートトンネルFETにおけるゲート金属形成プロセスの影響, 第65回応用物理学会春季学術講演会, 18p-C302-12, Mar. 2018.
• 金澤 徹, 大澤 一斗, 雨宮 智宏, 木瀬 信和, 青沼 遼介, 宮本 恭幸. InGaAsナノシートトランジスタの作製, 第65回応用物理学会春季学術講演会, 18a-G203-3, Mar. 2018.
• ⼤澤 ⼀⽃, ⾦澤 徹, ⽊瀬 信和, ⾬宮 智宏, 宮本 恭幸. InGaAsナノシートチャネルを持つマルチゲートMOSFETに向けた作製プロセス開発, 第78回応用物理学会秋季学術講演会, No. 8a-S22-2, Sept. 2017.
• 木瀬 信和, 岩田 真次郎, 青沼 遼介, 宮本 恭幸. [8a-S22-1] 68mV/decのSSをもつGaAsSb/InGaAsダブルゲートトンネルFET, 第78回応用物理学会秋季学術講演会, Sept. 2017.
• 大澤 一斗, 野口 真司, 祢津 誠晃, 木瀬 信和, 宮本 恭幸. [16p-413-11] HfO2/Al2O3/InGaAsゲート構造をもつMOSFETの移動度のH2アニール後における成膜温度およびAl2O3膜厚依存性, 第64回応用物理学会春季学術講演会, Mar. 2017.
• 岩田 真次郎, 木瀬 信和, 青沼 遼介, 宮本 恭幸. [16p-412-5] GaAsSb/InGaAsヘテロ接合を用いたダブルゲートトンネルFETにおける不純物濃度調整によるオン電流の向上, 第64回応用物理学会春季学術講演会, Mar. 2017.
• 青沼遼介, 岩田真次郎, 木瀬信和, 宮本恭幸. 68mV/decのSSを持つGaAsSb/InGaAs縦型ダブルゲートトンネルFET, 電気学会電子デバイス研究会, EDD-17-051, Mar. 2017.
• 大澤一斗, 野口真司, 祢津誠晃, 木瀬信和, 宮本恭幸. HfO2/Al2O3/InGaAsゲート構造における移動度への成膜温度およびH2アニールの影響, 電子情報通信学会電子デバイス研究会, 信学技報, vol. 116, no. 431, pp. 35-40, Jan. 2017.
• 大澤 一斗, 木瀬 信和, 宮本 恭幸. 15p-B9-10 HfO2/Al2O3/InGaAsゲート構造における移動度の成膜温度およびAl2O3膜厚依存性, 第77回応用物理学会秋季学術講演会, Sept. 2016.
• 木下 治紀, 木瀬 信和, 祢津 誠晃, 金澤 徹, 宮本 恭幸. 再成長S/Dを有するInGaAsマルチゲートMOSFETのLch=16nm動作, 第63回応用物理学会春季学術講演会, 22p-W541-5, Mar. 2016.
• 木下 治紀, 木瀬 信和, 祢津 誠晃, 金澤 徹, 宮本 恭幸. [22p-W541-5] 再成長S/Dを有するInGaAsマルチゲートMOSFETのLch=16nm動作, 第63回応用物理学会春季学術講演会, Mar. 2016.

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