論文

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• 大木博, Xusheng Wang, 石原宏. MoドープBi_4-xLa_xTi₃O₁₂薄膜の強誘電体特性に及ぼす昇温レートの効果, 第51回応用物理学関連連合講演会, No. 30p-ZL-3, 2004.
• 大木博, 石原宏. Si添加Bi_3.35La_0.75(Ti_1-xMo_x)₃O₁₂強誘電体薄膜の特性評価, 第51回応用物理学関連連合講演会, No. 30p-ZL-4, 2004.
• 藤崎芳久, 井関邦江, 石原宏. 減圧仮焼成プロセスによるゲルゾルBLT薄膜の特性改善（２）, 第51回応用物理学関連連合講演会, No. 30p-ZL-10, 2004.
• 星出裕亮, 具本宰, 有本由弘, 石原宏. 均一なキャパシタ特性を持つ1T2C型強誘電体メモリの作製, 第51回応用物理学関連連合講演会, No. 30p-ZL-17, 2004.
• 高橋憲弘, 朴炳垠, 川島良仁, 田渕良志明, 會澤康治, 石原宏. (Bi,La)₄Ti₃O₁₂/HfO₂構造を用いたMFISダイオードおよび１T型FETの電気的特性評価, 第51回応用物理学関連連合講演会, No. 30p-ZL-18, 2004.
• 會澤康治, 川島良仁, 高橋憲弘, 朴炳垠, 石原宏. SBT/HfO₂構造を用いたMFIS DiodeおよびFETの作製と評価, 第51回応用物理学関連連合講演会, No. 30p-ZL-19, 2004.
• 田渕良志明, 朴炳垠, 會澤康治, 川島良仁, 高橋憲弘, 加藤一実, 有本由弘, 石原宏. (Bi,Nd)₄Ti₃O₁₂/HfO₂/Si(100)構造MFIS型強誘電体メモリの作製とデータ保持特性の評価, 第51回応用物理学関連連合講演会, No. 31a-ZL-1, 2004.
• 青木千恵子, 鉾宏真, 朴炳垠, 石原宏. HfO₂系非晶質バッファ層を用いたMFIS(metal-ferroelectric-insulator-semiconductor)構造の特性, 第51回応用物理学関連連合講演会, No. 31ｐ-ZL-1, 2004.
• キムヒンス, 山本修一郎, 石原宏. 1T2C型強誘電体メモリアレイにおけるV/4ルールデータ書き込み法の提案, 第51回応用物理学関連連合講演会, No. 31p-ZL-2, 2004.
• タンブンイー, 井関邦江, 大木博, 藤崎芳久, 石原宏. Radical-Si₃N₄/高誘電率バッファー層を用いたMFIS－FETの作製と評価, 第51回応用物理学関連連合講演会, No. 31ｐ-ZL-3, 2004.
• 青木千恵子, 石原宏, 鉾宏真. HfSiON非晶質バッファ層を用いたMFIS型構造の特性, 第65回応用物理学会学術講演会, No. 4a-Y-2, 2004.
• キムヒンス, 山本修一郎, 石川徹, 石原宏. 1T2C型強誘電体メモリアレイの作製と評価, 第65回応用物理学会学術講演会, No. 4a-Y-7, 2004.
• 會澤康治, 高橋憲弘, 田村哲朗, 有本由弘, 石原宏. CVD HfO₂薄膜をバッファ層に用いたSBT/HfO₂/p-Si構造の作製と評価, 第65回応用物理学会学術講演会, No. 4a-Y-8, 2004.
• 田渕良志明, 朴炳垠, 會澤康治, 川島良仁, 高橋憲弘, 田村哲朗, 鉾宏真, 加藤一実, 有本由弘, 石原宏. (Bi, Nd)₄Ti₃O₁₂/HfO₂/Si(100)構造MFIS型強誘電体メモリの特性評価, 第65回応用物理学会学術講演会, No. 4a-Y-9, 2004.
• 高橋憲弘, 會澤康治, 田村哲朗, 有本由弘, 石原宏. (Bi,La)₄Ti₃O₁₂/CVD HfO₂構造を用いたMFISダイオードの電気的特性評価, 第65回応用物理学会学術講演会, No. 4a-Y-10, 2004.
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• 會澤康治, 小林宗太, 石原宏. SBT系強誘電体／Al₂O₃/Si構造MFISダイオードの電気的 特性評価, 第63回応用物理学会学術講演会, No. 24p-P4-6, 2002.
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• 朴炳垠, 石原宏. ゾルゲル法によるLaAlO₃/Si構造上へのBLT(Bi,La)₄Ti₃O₁₂薄膜の形成, 第49回応用物理学関係連合講演会, No. 29a-ZA-8, 2002.
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• 會澤康治, 川島良仁, 石原宏. Charge pumping法による強誘電体/Si構造の界面準位密度評価, 第49回応用物理学関係連合講演会, No. 30a-ZA-8, 2002.
• 佐藤剛彦, 黒岩丈晴, 石原宏. プラグ構造をもつMFMISデバイスへのBLT膜への適用検討, 第49回応用物理学関係連合講演会 , No. 30p-ZA-4, 2002.
• 小笠原悟, 石原宏. 局所配線を用いた1T2C型強誘電体メモリ, 第49回応用物理学関係連合講演会 , No. 30p-ZA-5, 2002.
• 具本宰, 石原宏. 1T2C型強誘電体メモリ用キャパシタ対の作製とデータディスターブ特性の評価, 第49回応用物理学関係連合講演会 , No. 30p-ZA-6, 2002.
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• 小林宗太, 會澤康治, 石原宏. 窒素雰囲気中アニールによるBLT系強誘電体/Al₂O₃/Siダイオードの作製と電気的特性, 第63回応用物理学会学術講演会, No. 24p-P4-9, 2002.
• 山本修一郎, 金, 石原宏. 1T2C型強誘電体メモリアレイにおける書込み・読み出しデータディスターブ低減法, 第63回応用物理学会学術講演会 , No. 24p-P4-17, 2002.
• 康昇国, 石原宏. LaAlO₃ゲート絶縁膜をバッファー層として作製したMFMIS構造の評価, 第63回応用物理学会学術講演会 , No. 24p-P4-19, 2002.
• 藤崎芳久, 井関邦江, 石原宏. ALD-Al₂O₃/radical-Si₃N₄高誘電率バッファー層を用いたMFIS構造, 第63回応用物理学関係連合講演会, No. 24p-P4-20, 2002.
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• 木島健, 川島良仁, 石原宏. 新規強誘電体材料へのポストアニール効果, 第62回応用物理学会学術講演会, No. 14p-ZR-1, 2001.
• 田村哲朗, 有本由弘, 石原宏. 強誘電体の分極反転速度を考慮したデバイス動作評価, 第62回応用物理学会学術講演会, No. 11p-T-7, 2001.
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• 佐藤剛彦, 黒岩丈晴, 石原宏. Ru電極上Bi_3.25La_0.75Ti₃O_12+y膜の減圧中での結晶化, 第62回応用物理学会学術講演会, No. 12a-2R-10, 2001.
• 西岡浩, 石原宏. 核発生層によるスパッタSrBi₂Ta₂O₉強誘電体薄膜の強誘電性特性改善, 第62回応用物理学会学術講演会, No. 12a-ZR-2, 2001.
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• 飯塚力巳, 會澤康治, 石原宏. Face-to-face annealing法によるゾルゲルSBT薄膜の作製, 第61回応用物理学会学術講演会, pp. 7p-G-6/II, 2000.
• 會澤康治, 石原宏. Face-to-face annealing法によるゾルゲルSBT薄膜のTEM観察, 第61回応用物理学会学術講演会, pp. 7p-G-5/II, 2000.
• 佐藤剛彦, 石原宏. Ru電極上への強誘電体膜形成, 第61回応用物理学会学術講演会, pp. 7p-G-4/II, 2000.
• 木島健, 磯辺武揚, 徳光永輔, 石原宏. ゾルゲル法による(Bi,La)₄Ti₃O₁₂/SiN/Si構造の作製, 第61回応用物理学会学術講演会, pp. 7a-G-11/II, 2000.
• 朴炳垠, 石原宏. ゾルゲル法によるLaAlO₃/Si構造上へのSr_0.8Bi_2.2Ta₂O₉薄膜の形成, 第61回応用物理学会学術講演会, pp. 7a-G-8/II, 2000.
• 藤井俊成, 舟窪浩, 石原宏. ダブルアルコキシド原料を用いた溶液気化MOCVD法によるSrBi₂Ta₂O₉薄膜の作製, 第61回応用物理学会学術講演会, pp. 7a-G-7/II, 2000.
• 天野敦弘, 岡本浩次郎, 徳光永輔, 石原宏. Pt/SrBi₂Ta₂O₉/Pt/SrTa₂O₆/SiON/Si構造のデバイスパラメーターの検討, 第61回応用物理学会学術講演会, pp. 6p-G-17/II, 2000.
• 康昇国, 石原宏. SrBi₂Ta₂O₉/(Pt)/Al₂O₃/Si構造MF(M)ISの特性評価, 第61回応用物理学会学術講演会, pp. 6p-G-16/II, 2000.
• 田村哲郎, 小粥光洋, 有本由弘, 會澤康治, 石原宏. SBTキャパシタの分極反転特性, 第61回応用物理学会学術講演会, pp. 6p-G-8/II, 2000.
• 山本修一郎, 石原宏. シュミットトリガ回路を用いた回路要素並列型強誘電体SPICEモデルの構築, 第61回応用物理学会学術講演会, pp. 6a-G-11/II, 2000.
• 小篠団, 會澤康治, 石原宏. SOI基板上へのMFISFET型マトリクス構造の作製と評価, 第61回応用物理学会学術講演会, pp. 6a-G-10/II, 2000.
• 緒方直人, 石原宏. 強誘電体キャパシタの高周波C-Vモデル, 第61回応用物理学会学術講演会, pp. 6a-G-9/II, 2000.
• 尹聖民, 小笠原悟, 石原宏. 保持と読み出し動作の機能を分離した1T2C構造の強誘電体メモリアレイの作製, 第61回応用物理学会学術講演会, pp. 6a-G-8/II, 2000.
• 小笠原悟, 尹聖民, 石原宏. 機能分離型1T2C強誘電体ゲートFETの動作特性, 第61回応用物理学会学術講演会, pp. 6a-G-7/II, 2000.
• 小粥光洋, 田村哲郎, 有本由弘, 會澤康治, 石原宏. 強誘電体ゲートFETの減分極電界の影響, 第61回応用物理学会学術講演会, pp. 6a-G-4/II, 2000.
• 藤崎芳久, 石原宏. 原子状窒素を用いたSi(100)基板の直接窒化, 第61回応用物理学会学術講演会, pp. 5a-ZD-3/II, 2000.
• 今田将吾, 徳光永輔, 石原宏. 強誘電体YMnO₃薄膜を用いた強誘電体ゲートFETの作製, 第61回応用物理学会学術講演会, pp. 5a-G-1/II, 2000.
• 王旭升, 石原宏. Sol-gel prepared ferroelectric PZT glassceramic thin films for FeRAM aplications, 第61回応用物理学会学術講演会, pp. 4p-G-3/II, 2000.
• 大島享介, 大見俊一郎, 徳光永輔, 岩井洋, 石原宏. 高誘電率材料ZrO₂膜の特性とSr添加の効果, 第61回応用物理学会学術講演会, pp. 3p-ZD-5/II, 2000.
• 柏木仁, 上杉尚史, 徳光永輔, 石原宏. In_XGa_1-XAsをバッファー層としたBaMgF₄膜のGaAs基板上への作製と評価 (III), 第47回応用物理学関係連合講演会, pp. 31a-P18-29/II, 2000.
• 小笠原悟, 加藤匠, 高原淳, 徳光永輔, 石原宏. 機能分離型強誘電体ゲートFETのSPICEシミュレーション, 第47回応用物理学関係連合講演会, pp. 31a-P18-28/II, 2000.
• 尹聖民, 川口直一, 徳光永輔, 石原宏. MFMOS構造のFETにおけるメモリ保持特性の評価とデバイス構造の最適化, 第47回応用物理学関係連合講演会, pp. 31a-P18-27/II, 2000.
• 高橋大輔, 徳光永輔, 石原宏. Pt/PLZT/Pt/Y₂O₃/Siを用いたMFMIS構造の作製と評価, 第47回応用物理学関係連合講演会, pp. 31a-P18-26/II, 2000.
• 加藤匠, 高原淳, 山本修一郎, 小笠原悟, 徳光永輔, 石原宏. HSPICEによるトランジスタ型強誘電体メモリの動作解析, 第47回応用物理学関係連合講演会, pp. 31a-P18-17/II, 2000.
• 神保武人, 藤井俊成, 磯辺武揚, 舟窪浩, 徳光永輔, 石原宏. 溶液気化MOCVD法により作製したSrBi₂Ta₂O₉薄膜の評価と膜質の改善, 第47回応用物理学関係連合講演会, pp. 30a-P11-31/II, 2000.
• 天野敦弘, 岡本浩次郎, 徳光永輔, 石原宏. SrBi₂Ta₂O₉/Ir系導電膜/SiO₂/SrからなるMFMIS構造の作製, 第47回応用物理学関係連合講演会, pp. 30a-P11-29/II, 2000.
• 今福周作, 岡本浩次郎, 徳光永輔, 石原宏. ゾルゲル法による(Sr_XBa_1-X)Bi₂Ta₂O₉薄膜の作製, 第47回応用物理学関係連合講演会, pp. 30a-P11-18/II, 2000.
• 今田将吾, 倉岡拓也, 徳光永輔, 石原宏. 金属Mn及びラジカル酸素を用いた強誘電体YMnO₃薄膜のMBE成長, 第47回応用物理学関係連合講演会, pp. 30a-P11-16/II, 2000.
• 岡本浩次郎, 天野敦弘, 會澤康治, 徳光永輔, 石原宏. SrBi₂Ta₂O₉/Pt/SrTa₂O₆/SiON/Si構造MFMIS-FETの特性評価(II), 第47回応用物理学関係連合講演会, pp. 30a-P11-15/II, 2000.
• 康昇国, 藤崎芳久, 石原宏. 窒素ラジカル源による窒化膜とSrBi₂Ta₂O₉強誘電体を用いたMFIS構造の作製, 第47回応用物理学関係連合講演会, pp. 30a-P11-11/II, 2000.
• 藤井俊成, 神保武人, 舟窪浩, 徳光永輔, 石原宏. Sr,Ta新原料を用いた溶液気化MOCVD法によるSBT薄膜の作製, 第47回応用物理学関係連合講演会, pp. 30a-P11-10/II, 2000.
• 飯塚力巳, 會澤康治, 徳光永輔, 石原宏. Face-to-face annealing法により結晶化したゾルゲルSBT薄膜のBi組成比依存性, 第47回応用物理学関係連合講演会, pp. 30a-P11-8/II, 2000.
• 會澤康治, 岡本浩次郎, 徳光永輔, 石原宏. Face-to-face annealing法によるゾルゲルSBT薄膜の形成と評価, 第47回応用物理学関係連合講演会, pp. 30a-P11-7/II, 2000.
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• 今田将吾, 徳光永輔, 石原宏. MBE法による強誘電体YMnO₃薄膜の作製(V), 第60回応用物理学会学術講演会, pp. 4a-A-2/II, 1999.
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• 尹聖民, 徳光永輔, 石原宏. SrBi₂Ta₂O₉薄膜を用いた強誘電体ニューロン回路の適応学習機能, 第60回応用物理学会学術講演会, pp. 3p-A-17/II, 1999.
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• 岡本浩次郎, 天野敦弘, 徳光永輔, 石原宏. SrBi₂Ta₂O₉/Pt/SrTa₂O₆/SiON/Si構造MFMIS-FETの特性評価, 第60回応用物理学会学術講演会, pp. 3p-A-12/II, 1999.
• 天野敦弘, 岡本浩次郎, 徳光永輔, 石原宏. 強誘電体SrBi₂Ta₂O₉およびSiO₂緩衝層を用いたMFMIS構造の作製, 第60回応用物理学会学術講演会, pp. 3p-A-11/II, 1999.
• 神保武人, 舟窪浩, 徳光永輔, 石原宏. 溶液気化MOCVD法により作製したSrBi₂Ta₂O₉薄膜の特性改善, 第60回応用物理学会学術講演会, pp. 3a-A-6/II, 1999.
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• 高橋大輔, 朴炳垠, 徳光永輔, 石原宏. Y₂O₃バッファー層を用いたPLZT薄膜のSi基板上への形成, 第60回応用物理学会学術講演会, pp. 2p-A-2/II, 1999.
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• 柏木仁, 小此木敦史, 徳光永輔, 石原宏. InGaAsをバッファー層としたBaMgF₄膜のGaAs基板上への作製と評価, 第46回応用物理学関係連合講演会, pp. 31p-K-8/II, 1999.
• 會澤康治, 西山淳, 徳光永輔, 石原宏. 強誘電体ゲートFETのパルスdisturb特性, 第46回応用物理学関係連合講演会, pp. 31p-K-6/II, 1999.
• 加藤匠, 山田玲緒奈, 徳光永輔, 石原宏. 強誘電体の過渡応答SPICEモデル, 第46回応用物理学関係連合講演会, pp. 31p-K-5/II, 1999.
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• 岡本浩次郎, 藤井巌, 徳光永輔, 石原宏. Ti酸化物を緩衝層に用いたMFIS構造の作製, 第46回応用物理学関係連合講演会, pp. 31p-K-3/II, 1999.
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• HIROSHI ISHIWARA. Current Status and Prospects of MFSFETs and Related Devices, Integrated Ferroelectrics, Vol. 17, pp. 11-20, 1997.
• HIROSHI ISHIWARA. Nonvolatile Memory Operations of Metal-Ferroelectric-Insulator-Semiconductor(MFIS) FET's Using PLZT/STO/Si(100) Structures, IEEE Electron Device Letters, Vol. 18, No. 4, pp. 160, 1997.
• HIROSHI ISHIWARA. Ferroelectric Neuron Circuits with Adaptive-Learning Function, Computers Elect. Engng, Vol. 23, No. 6, pp. 431, 1997.
• H. Ishiwara, T. Shimamura, E. Tokumitsu. Proposal of a Single-Transistor-Cell-Type Ferroelectric Memory Using an SOI Structure and Experimental Study on the Interference Problem in the Write Operation（共著）, Japanese Journal of Applied Physics, Vol. 36, No. 3B, pp. 1655-1658, 1997.
• HIROSHI ISHIWARA. Device Characterization of High-Electron-Mobility Transistors with Ferroelectric-Gate Structure, Proc. 1996 IEEE GaAs IC Sympo., pp. 163, 1996.
• HIROSHI ISHIWARA. Ferroelectric Properties of BaMgF┣D24┫D2 Films Grown on Si(100), (111), and Pt(111)/SiO┣D22┫D2/Si(100) Structures, Japanese Journal of Applied Physics, Vol. 35, No. 2B, pp. 1525, 1996.
• HIROSHI ISHIWARA. Electrical Properties of Ferroelectric Gate HEMT Structures, Japanese Journal of Applied Physics, Vol. 35, No. 2B, pp. 1254, 1996.
• HIROSHI ISHIWARA. Enhanced Growth Mechanism in Lateral Solid-Phase Epitaxy of Si Films Simultaneously Doped With P and Ge Atoms, Japanese Journal of Applied Physics, Vol. 35, No. 3, pp. 1605, 1996.
• Eisuke TOKUMITSU, Ryo-ichi NAKAMURA, Kensuke ITANI, Hiroshi ISHIWARA. Film Quality Dependence of Adaptive-Learning Processes in Neurodevices Using Ferroelectric PbZrxTi1-xO3(PZT) Films, Japanese Journal of Applied Physics, Vol. 34, No. 2B, pp. 1061-1065, Feb. 1995.
• HIROSHI ISHIWARA. Stress-Induced Anomalous Growth in Lateral Solid-Phase Epitaxy of Ge-incorporated Si Films(共著), Jpn. J. Appl. Phys., Vol. 34, No. 1, pp. 20, 1995.
• HIROSHI ISHIWARA. Crystalling Quality of Strain-Free GaAs-on-Si Structures Formed by Annealing Under Ultrahigh Pressure, Applied Physics Letters, Vol. 66, No. 18, pp. 2373, 1995.
• HIROSHI ISHIWARA. Formation and Electrical Properties of Heteroepitaxial SrTiO3/SrVO3-x/Si(100) Structures, Applied Physics Letters, Vol. 67, No. 14, pp. 1996, 1995.
• SHUN-ICHIRO OHMI, EISUKE TOKUMITSU, HIROSHI ISHIWARA. Characterization of ferroelectric BaMgF4 films grown on AlGaAs/GaAs (100) high-electron-mobility transistor structures, Journal of Crystal Growth, Vol. 150, pp. 1104-1107, 1995.
• 石原宏. 超高圧下アニールによるヘテロ構造の熱不整歪の抑制(共著), 日本結晶成長学会誌, Vol. 21, No. 5, pp. S429, 1994.
• 石原宏. 強誘電体薄膜のニューロデバイスへの応用, 応用物理, Vol. 63, No. 11, pp. 1147, 1994.
• HIROSHI ISHIWARA. Growth of Crystalline SrTiO┣D23┫D2 Films on Si Substrates Using Thin Fluoride Buffer Layers and Their Electrical Properties(共著), Jpn. J. Appl. Phys., Vol. 33, No. 10, pp. 5911, 1994.
• HIROSHI ISHIWARA. Growth and device applications of epitaxial insulators on semiconductors, Mat. Res. Soc. Sympo. Proc., No. 281, pp. 735-745, 1993.
• HIROSHI ISHIWARA. Epitaxial growth of BamaF┣D24┫D2films on Si(100) and (111) substrates : An approach to ferroelectric/semiconductor heterostructures(共著), Appl. Phys. Lett., Vol. 63, No. 13, pp. 1765-1767, 1993.
• HIROSHI ISHIWARA. Proposal of Adaptive-Learning Neuron circuits with Ferroelectric Analog-Memory Weights, Jpn. J. Appl. Phys., Vol. 32, No. 1B, pp. 442-446, 1993.
• HIROSHI ISHIWARA. Lateral solid phase epitaxy of amorphous si films under ultrahigh pressure(共著), Jpn. J. Appl. Phys., Vol. 32, No. 1B, pp. 308-311, 1993.
• HIROSHI ISHIWARA. Formation of BaMgF┣D24┫D2 films on pt/Mgo, Si and GaAs Substrates(共著), Mat. Res. Soc. Sympo. Proc., No. 310, pp. 313-318, 1993.
• HIROSHI ISHIWARA. Epitaxial growth of strain-free Gefilms on Si substrates by solid phase epitaxy at ultrahigh pressure(共著), Appl. Phys. Lett., Vol. 61, No. 16, pp. 1951-1953, 1992.
• HIROSHI ISHIWARA. Selective Surface Doping Method of a P Atoms in Lateral Solid Phase Epitaxy and Its Applications to Device Fabricatoin(共著), Jpn. J. Appl. Phys., pp. 31, 1992.
• HIROSHI ISHIWARA. Heteroepitaxial growth of conductive and insulating films on semiconductor substrates.(共著), 応用物理, Vol. 61, pp. 2, 1992.
• HIROSHI ISHIWARA. Study of subboundary generation in silicon-on-insulator films recrystallized by a pseudoline electron beam(共著), J. Appl. Phys., Vol. 68, pp. 6, 1990.
• HIROSHI ISHIWARA. A novel heteroepitaxy method of Ge films on CaF┣D22┫D2 by electron beam exposure(共著), J. Appl. Phys., Vol. 63, pp. 4, 1988.
• HIROSHI ISHIWARA. Characterization of silicon-on-insulator films recrystallized by an obliquely scanned pseudoline electron beam(共著), J. Appl. Phys., Vol. 61, pp. 3, 1987.
• HIROSHI ISHIWARA. On the Mechanisms of Lateral Solid Phase Epitaxial Growth of Amorphous Si Films Evaporated on SiO┣D22┫D2 Patterns(共著), Jpn. J. Appl. Phys., Vol. 24, pp. 4, 1985.
• HIROSHI ISHIWARA. Heteroepitaxial Growth of Group-IIa Fluorie Films on Si Substrates(共著), Jpn. J. Appl. Phys., Vol. 22, pp. 10, 1983.
• HIROSHI ISHIWARA. Backscattering measurements of implanted ion distributions in double-layer structures(共著), J. Appl. Phys., Vol. 51, pp. 9, 1980.
• HIROSHI ISHIWARA. Separate estimate of crystallite orientations and scattering centers in polycrystals by backscattering technique(共著), J. Appl. Phys., Vol. 47, pp. 4, 1976.

著書

• H.Ishiwara, M.Okuyama, Y.Arimoto eds.. Ferroelectric Random Access Memories - Fundamentals and Applications, Springer-Verlag, Springer-Verlag, 2004.
• T.Kijima, H.Ishiwara. “Part I, Novel Si-substituted ferroelectric films”, Ferroelectric Random Access Memories - Fundamentals and Applications, eds. by H.Ishiwara, M.Okuyama, and Y.Arimoto, Springer-Verlag, Springer-Verlag, pp. 17-30, 2004.
• H.Ishiwara. “Part IV, The FET-type FeRAM”, Ferroelectric Random Access Memories - Fundamentals and Applications, eds. by H.Ishiwara, M.Okuyama, and Y.Arimoto, Springer-Verlag, Springer-Verlag, pp. 233-251, 2004.
• 石原宏 監修　. 強誘電体メモリーの新展開, シーエムシー出版, シーエムシー出版, 2004.
• 石原宏. 強誘電体メモリーの新展開　第1章　強誘電体メモリーの現状と次世代型への期待, シーエムシー出版, シーエムシー出版, 2004.
• 石原宏. 次世代強誘電体メモリへの期待, 化学工業, 化学工業, Vol. 55, No. 1, pp. 20-25, 2004.
• Y. Arimoto, H. Ishiwara. Current status of ferroelectric random-access memory, MRS Bulletin, MRS Bulletin, Vol. 29, No. 11, pp. 823-828, 2004.
• 田渕良志明, 朴炳垠, 會澤康治, 川島良仁, 高橋憲弘, 加藤一実, 有本由弘, 石原宏. (Bi,Nd)₄Ti₃O₁₂/HfO₂/Si(100) 構造の作製と評価, 電子情報通信学会技術研究報告, 電子情報通信学会技術研究報告, No. SDM2003-232, 2004.
• 石原宏. トランジスタ型強誘電体メモリの新展開, 第66回半導体･集積回路技術シンポジウム講演論文集, 第66回半導体･集積回路技術シンポジウム講演論文集, pp. 46-49, 2004.
• 石原 宏. 第6版 化学便覧、応用化学編 II編 7章　電子・光材料プロセス技術, 日本化学会編、丸善, 日本化学会編、丸善, 2003.
• H.Kohlstedt, H.Ishiwara. Part III, Chap.14, Ferroelectric field effect transistors ed. by R.Waser Nanoelectronics and Information Technology - Advanced Electronic Materials and Novel Devices, Wiley-VCH, Weinheim, Wiley-VCH, Weinheim, pp. 387-405, 2003.
• 石原 宏. 「次世代エレクトロニクス薄膜技術」第10章　強誘電体薄膜の作製とメモリ素子への応用, シーエムシー出版, シーエムシー出版, pp. 229-253, 2003.
• 石原宏. 物理の世界-半導体エレクトロニクス, 岩波書店, 岩波書店, 2002.
• 石原宏. 4.3 次世代FeRAM「MRAM技術～基礎からLSI応用まで」, サイペック, サイペック, pp. 188-201, 2002.
• 石原宏. 4.2.2トランジスタ型強誘電体メモリ;誘電体材料の特性と測定・および応用技術, 技術情報協会, 技術情報協会, pp. 109-114, 2001.
• H. Ishiwara. Status of metal-ferroelectric-semiconductor field effect transistors(MFSFETs) and related devices, Handbook of Thin Film Devices (Academic Press), Handbook of Thin Film Devices (Academic Press), Vol. 5, No. Chap.3, pp. 79-89, 2000.
• 石原宏. トランジスタ型強誘電体メモリ, 記録・メモリ材料ハンドブック（朝倉書店）, 記録・メモリ材料ハンドブック（朝倉書店）, No. 12章, pp. 390-397, 2000.
• 逢坂哲弥, 山崎陽太郎, 石原宏. 記録・メモリ材料ハンドブック（編著）, 朝倉書店, 朝倉書店, 2000.
• 石原宏. ニューロデバイスへの応用（第6章第3節）, 「FRAM ICカード技術」（高須秀視、宅間俊則編著、サイエンスフォーラム）, 「FRAM ICカード技術」（高須秀視、宅間俊則編著、サイエンスフォーラム）, pp. 207-216, 1999.
• 石原宏. ヘテロエピタキシー技術（2.12節）, 「図解・薄膜技術」日本表面科学会編, 「図解・薄膜技術」日本表面科学会編, 1999.
• H.Ishiwara, T. Hoshino. Formation of strain-free heteroepitaxial structures by annealing under ultrahigh pressure（共著）, T. Nishinaga et. al.: Advances in the Understanding of Crystal Growth Mechanisms; Elsevier Science, T. Nishinaga et. al.: Advances in the Understanding of Crystal Growth Mechanisms; Elsevier Science, pp. 485-497, 1997.
• 石原宏. 半導体デバイス工学, コロナ社, コロナ社, 1990.

国際会議発表 (査読有り)

• G.-G. Lee, S.-M. Yoon, J.-W. Yoon, Y. Fujisaki, H. Ishiwara, E. Tokumitsu. Flexible Ferroelectric-TFTs Using IGZO-Channel and P(VDF-TrFE), The 17th International Display Workshops(IDW’10), Dec. 2010.
• GwangGeun Lee, Sung-ming Yoon, Yosihisa Fujisaki, Hiroshi Ishiwara, Eisuke Tokumitsu. Fabrication of Organic P(VDF-TrFE) Film on PEN Substrate for Flexible IGZO-channel Ferroelectric-gate TFTs, 2010 fall meeting, Materials Research Society, Nov. 2010.
• GwangGeun Lee, Sung-ming Yoon, JooWon Yoon, Yosihisa Fujisaki, Hiroshi Ishiwara, Eisuke Tokumitsu. Fabrication of IGZO-channel Ferroelectric-gate TFTs with Organic P(VDF-TrFE) Film, 2009 fall meeting, Materials Research Society, Nov. 2009.
• J-W.Yoon, S.Fujisaki, H.Ishiwara. Patterning of poly(vinyliden fluoride-trifluoroethylene) thin films by oxygen plasma etching, 4th Conf. on New Exploratory Technologies, 4th Conf. on New Exploratory Technologies, Vol. Eo3-03, Oct. 2007.
• S.K.Singh, K.Maruyama, H.Ishiwara. Enhanced electrical properties by co-doping of La, Mn and Cr atoms in BiFeO₃ thin films, 5th IUMRS Intern. Conf. on Advanced Materials, 5th IUMRS Intern. Conf. on Advanced Materials, Vol. C-Oral-13, Oct. 2007.
• HIROSHI ISHIWARA. Recent Progress in Ferroelectric Memory Technology, 4th Conf. on New Exploratory Technologies, 4th Conf. on New Exploratory Technologies, Vol. II-01, Oct. 2007.
• HIROSHI ISHIWARA. Current Status and Prospect of Ferroelectric Random Access Memory, 5th IUMRS Intern. Conf. on Advanced Materials, 5th IUMRS Intern. Conf. on Advanced Materials, Vol. C-Inv-01, Oct. 2007.
• HIROSHI ISHIWARA. Current status and prospect of ferroelectric random access memory, Intern. Sympo. on Organic and Inorganic Electronic Materials and Related Nanotechnologies, Intern. Sympo. on Organic and Inorganic Electronic Materials and Related Nanotechnologies, Vol. 1A-07I, Oct. 2007.
• HIROSHI ISHIWARA. Current status of ferroelectric-gate Si transistors and challenge to ferroelectric-gate CNT transistors, Nano Korea 2007 Sympo., Nano Korea 2007 Sympo., Vol. Room 213-1, Aug. 2007.
• HIROSHI ISHIWARA. Current status and future prospect of FET-type ferroelectric memories, 2nd Intern. Sympo. on Next Generation Non-volatile Memory Technology for Terabit Memory, 2nd Intern. Sympo. on Next Generation Non-volatile Memory Technology for Terabit Memory, Vol. 3-3, June 2007.
• X-B.Lu, H.Hoko, K.Maruyama, H.Ishiwara. Characteristics of MFIS devices using HfSiON buffer layers, 19th Intern. Sympo. on Integrated Ferroelectrics, 19th Intern. Sympo. on Integrated Ferroelectrics, Vol. 4B-115-C, May 2007.
• S.Fujisaki, Y.Fujisaki, H.Ishiwara. Excellent ferroelectricity of thin poly (vinylidene fluoride-trifluoroethylene) copolymer films and low voltage operation of capacitors and diodes, 16th IEEE Intern. Sympo. on Applications of Ferroelectrics, 16th IEEE Intern. Sympo. on Applications of Ferroelectrics, Vol. 30B-FR5-O1, No. Proc., pp. 487-489, May 2007.
• Z-Y.Zhong, S.K.Singh, K.Maruyama, H.Ishiwara. Ferroelectric properties of Mn-substituted BiFeO₃ thin films on Ir electrodes, 16th IEEE Intern. Sympo. on Applications of Ferroelectrics, 16th IEEE Intern. Sympo. on Applications of Ferroelectrics, Vol. 28A-TF1-O3, No. Proc., pp. 376-379, May 2007.
• S.K.Singh, K.Sato, K.Maruyama, H.Ishiwara. Frequency dependent polarization in pure and doped BiFeO₃ thin films prepared by chemical solution deposition, 19th Intern. Sympo. on Integrated Ferroelectrics, 19th Intern. Sympo. on Integrated Ferroelectrics, Vol. 5D-209-C, May 2007.
• HIROSHI ISHIWARA. Recent researches for realizing high-density ferroelectric memories, Spring Meeting of Mater. Res. Soc. (Sympo. I; Materials and Processes for Nonvolatile Memories), Spring Meeting of Mater. Res. Soc. (Sympo. I; Materials and Processes for Nonvolatile Memories), No. I8.5, Apr. 2007.
• S.Fujisaki, Y.Fujisaki, H.Ishiwara. Large ferroelectricity of thin poly (vinylidene fluoride- trifluoroethylene) copolymer films suitable for non-volatile memory applications, Spring Meeting of Mater. Res. Soc. (Sympo. I; Materials and Processes for Nonvolatile Memories), Spring Meeting of Mater. Res. Soc. (Sympo. I; Materials and Processes for Nonvolatile Memories), No. I6.3, Apr. 2007.
• H.Ishiwara. Recent progress in ferroelectric memory technology, 8th Intern. Conf. on Solid-State and Integrated Circuit Technology, 8th Intern. Conf. on Solid-State and Integrated Circuit Technology, No. C3.8 Proc. Part 2, pp. 713-716, Oct. 2006.
• S.K.Singh, Y-K.Kim, H.Funakubo, H.Ishiwara. Epitaxial BiFeO₃ multiferroic thin films fabricated by chemical solution deposition, IUMRS Intern. Conf. in Asia, IUMRS Intern. Conf. in Asia, Vol. 6-O-15, Sept. 2006.
• Eisuke Tokumitsu, Kensuke Itani, Bum-Ki Moon, Hiroshi Ishiwara. Preparation of PbZrxTi1-xO3 Films on Si Substrates using SrTiO3 Buffer Layers, Materials Research Society Symposium Proceedings, Vol. 361, pp. 427-432, Nov. 1994.

国内会議発表 (査読有り)

• Lee Gwang Geun, Yosihisa Fujisaki, Hiroshi Ishiwara, Eisuke Tokumitsu. Low voltage operation of ferroelectric thin film transistors using P(VDF-TrFE) and IGZO, 第７２回応用物理学会学術講演会, Aug. 2011.
• Gwang-Geun Lee, Sung-Min Yoon, Joo-Won Yoon, Yosihisa Fujisaki, Hiroshi Ishiwara, Eisuke Tokumitsu. Flexible non-volatile memory TFT with IGZO-channel and ferroelectric polymer, 第７１回応用物理学会学術講演会, Sept. 2010.
• Gwang-Geun Lee, Sung-Min Yoon, Joo-Won Yoon, 藤崎芳久, 石原宏, 徳光永輔. 有機強誘電体P(VDF-TrFE)と無機酸化物半導体IGZOを用いた強誘電体ゲート薄膜トランジスタの作製と評価, 信学技報、SDM2010-16、OME2010-16(2010-04), 社団法人電子情報通信学会, Vol. 110, No. 15, pp. 71-75, Apr. 2010.
• 尹珠元, 石原宏. Characterics of MFIS structures based on poly (vinylidene fluoridetrifluoroethylene), 2008年（平成20年）秋季第69回応用物理学会学術講演会, 2008年（平成20年）秋季第69回応用物理学会学術講演会講演予稿集, 3a-K-4/II, Sept. 2008.
• 鐘志勇, 石原宏. Enhanced ferroelectric properties of BiFe_xCr_1-xO₃ thin film formed by chemical solution deposition, 2008年（平成20年）秋季第69回応用物理学会学術講演会, 2008年（平成20年）秋季第69回応用物理学会学術講演会講演予稿集, 2a-K-11/II, Sept. 2008.
• 田中敬人, 安念一規, 井端雅一, 石原宏. 平坦化強誘電体膜を用いたC₆₀メモリトランジスタ, 2008年（平成20年）秋季第69回応用物理学会学術講演会, 2008年（平成20年）秋季第69回応用物理学会学術講演会講演予稿集, 3a-K-11/II, Sept. 2008.
• 陸旭兵, 石原宏. Improved electrical properties of metal-ferroelectric-insulator-silicon diodes using an epitaxial SrTio₃ buffer layer, 2008年（平成20年）秋季第69回応用物理学会学術講演会, 2008年（平成20年）秋季第69回応用物理学会学術講演会講演予稿集, 3a-K-10/II, Sept. 2008.
• 近藤佑美, 鉾宏真, 石原宏. 2T型強誘電体メモリのデータディスターブ特性IV, 2008年（平成20年）秋季第69回応用物理学会学術講演会, 2008年（平成20年）秋季第69回応用物理学会学術講演会講演予稿集, 3a-K-8/II, Sept. 2008.
• 鉾宏真, 川嶋将一郎, 石原宏. p-ch MFIS-FETとn-ch MOSFETからなる改良２T型FeRAMセルの電気特性, 2008年（平成20年）秋季第69回応用物理学会学術講演会講演予稿集, 2008年（平成20年）秋季第69回応用物理学会学術講演会, 3a-K-7/II, Sept. 2008.
• 王冬きょう, 石原宏. Sr₂(Ta,Nb)₂O₇を強誘電体層に用いたMFISの評価, 2008年（平成20年）秋季第69回応用物理学会学術講演会, 2008年（平成20年）秋季第69回応用物理学会学術講演会講演予稿集, 3a-K-5/II, Sept. 2008.
• 金正桓, 舟窪浩, 石原宏. SrRuO₃/Pt(111)とPt(111)の上にスパッタで形成されたBiFeO₃膜の電気特性評価, 2008年（平成20年）秋季第69回応用物理学会学術講演会, 2008年（平成20年）秋季第69回応用物理学会学術講演会講演予稿集, 2p-K-1/II, Sept. 2008.
• 王冬きょう, 石原宏. バッファ層を用いたMFISダイオードの評価, 2008年（平成20年）第55回応用物理学関係連合講演会, 2008年（平成20年）春季第55回応用物理学関係連合講演会講演予稿集, 30a-P14-31/II, Mar. 2008.
• 尹珠元, 大見俊一郎, 石原宏. Ferroelectrics Characteristics of poly (vinylidene fluoride-trifluoroethylene) MFIS diodes, 2008年（平成20年）第55回応用物理学関係連合講演会, 2008年（平成20年）春季第55回応用物理学関係連合講演会講演予稿集, 30a-P14-30/II, Mar. 2008.
• 陸旭兵, 杉山芳弘, 石原宏. Electrical Properties of ZrSiO₄ doped Sr_0.8Bi_2.2Ta₂O₉ films, 2008年（平成20年）第55回応用物理学関係連合講演会, 2008年（平成20年）春季第55回応用物理学関係連合講演会講演予稿集, 30a-P14-11/II, Mar. 2008.
• 安念一規, 田中敬人, 井端雅一, 石原宏. C₆₀フラーレンを用いた強誘電体ゲートトランジスタ(II), 2008年（平成20年）第55回応用物理学関係連合講演会, 2008年（平成20年）春季第55回応用物理学関係連合講演会講演予稿集, 28a-ZE-14/III, Mar. 2008.
• 近藤佑美, 李月剛, 鉾宏真, 有本由弘, 石原宏. 2T型強誘電体メモリのデータディスターブ特性の評価III, 2008年（平成20年）第55回応用物理学関係連合講演会, 2008年（平成20年）春季第55回応用物理学関係連合講演会講演予稿集, 30a-P14-32/II, Mar. 2008.
• 鉾宏真, 李月剛, 丸山研二, 石原宏. p-ch MFIS-FETとn-ch MOSFETからなる２T型FeRAMセルの電気特性評価, 2007年(平成19年)秋季第68回応用物理学会学術講演会, 2007年(平成19年)秋季第68回応用物理学会学術講演会, Vol. 4p-ZL-6/Ⅱ, Sept. 2007.
• 李月剛, 丸山研二, 鉾宏真, 有本由弘, 石原宏. ２T型強誘電体メモリのディスターブ特性の評価, 2007年(平成19年)秋季第68回応用物理学会学術講演会, 2007年(平成19年)秋季第68回応用物理学会学術講演会, Vol. 4p-ZL-7/Ⅱ, Sept. 2007.
• 井端雅一, 高下裕一郎, 石原宏. カーボンナノチューブを用いた強誘電体ゲート電界効果トランジスタのモデリング, 2007年(平成19年)秋季第68回応用物理学会学術講演会, 2007年(平成19年)秋季第68回応用物理学会学術講演会, Vol. 4p-ZL-10/Ⅱ, Sept. 2007.
• 高下裕一郎, 井端雅一, 石原宏. 強誘電体ゲートカーボンナノチューブトランジスタの作製と真空中における評価, 2007年(平成19年)秋季第68回応用物理学会学術講演会, 2007年(平成19年)秋季第68回応用物理学会学術講演会, Vol. 4p-ZL-11/Ⅱ, Sept. 2007.
• 安念一規, 井端雅一, 石原宏. C₆₀フラーレンを用いた強誘電体ゲートトランジスタ, 2007年(平成19年)秋季第68回応用物理学会学術講演会, 2007年(平成19年)秋季第68回応用物理学会学術講演会, Vol. 4p-ZL-12/Ⅱ, Sept. 2007.
• 鍾志勇, S.K.Singh, 丸山研二, 石原宏. A Reduced Coercive Electric Field in Mn-substituted BiFeO₃ Thin Films Formed by Chemical Solution Deposition Method, 2007年(平成19年)秋季第68回応用物理学会学術講演会, 2007年(平成19年)秋季第68回応用物理学会学術講演会, Vol. 5p-ZL-2/Ⅱ, Sept. 2007.
• 藤崎寿美子, 石原宏, 藤崎芳久. 薄膜P(VDF-TrFE)コポリマーを用いた強誘電体キャパシタの高速動作, 2007年(平成19年)秋季第68回応用物理学会学術講演会, 2007年(平成19年)秋季第68回応用物理学会学術講演会, Vol. 4a-ZL-9/Ⅱ, Sept. 2007.
• 尹珠元, 石原宏. Ferroelectric Characteristics of Patterned p(VDF-TrFE) Thin Films, 2007年(平成19年)秋季第68回応用物理学会学術講演会, 2007年(平成19年)秋季第68回応用物理学会学術講演会, Vol. 4a-ZL-10/Ⅱ, Sept. 2007.
• 岡沢昴, 丸山研二, 石原宏. 低比誘電率材料Bi₂W_0.9Mn_0.1O₆薄膜のMFISデバイスへの適用, 2007年(平成19年)秋季第68回応用物理学会学術講演会, 2007年(平成19年)秋季第68回応用物理学会学術講演会, Vol. 4p-ZL-3/Ⅱ, Sept. 2007.
• 陸旭兵, 鉾宏真, 丸山研二, 石原宏. Electrical Properties of Metal-ferroelectric-Insulator-Silicon using HfTaO as Buffer Layer, 2007年(平成19年)秋季第68回応用物理学会学術講演会, 2007年(平成19年)秋季第68回応用物理学会学術講演会, Vol. 4p-ZL-4/Ⅱ, Sept. 2007.
• 池田武嗣, 田渕良志明, 田村哲朗, 鉾宏真, 有本由弘, 石原宏. MSIF-FETを用いたNAND型強誘電体メモリ回路における書込みディスター, 2007年(平成19年)秋季第68回応用物理学会学術講演会, 2007年(平成19年)秋季第68回応用物理学会学術講演会, Vol. 4p-ZL-5/Ⅱ, Sept. 2007.
• 梅山将志, 岡沢昴, 石原宏, 丸山研二. Bi₂WO₆添加Sr_0.8Bi_2.2Ta₂O₉を用いたMFIS-FETの動作特性, 2007年(平成19年)春季第54回応用物理学関係連合講演会, 2007年(平成19年)春季第54回応用物理学関係連合講演会, Vol. 29a-SV-11/Ⅱ, Mar. 2007.
• 岡沢昴, 梅山将志, 丸山研二, 石原宏. 低比誘電率Bi₂WO₆薄膜のMFISへの適用, 2007年(平成19年)春季第54回応用物理学関係連合講演会, 2007年(平成19年)春季第54回応用物理学関係連合講演会, Vol. 29a-SV-10/Ⅱ, Mar. 2007.
• 李月剛, 齋藤貢一, 丸山研二, 鉾宏真, 有本由弘, 石原宏. 2T型強誘電体メモリのディスターブ特性の評価, 2007年(平成19年）春季第54回応用物理学関係連合講演会, 2007年(平成19年）春季第54回応用物理学関係連合講演会, Vol. 29a-SV-6/Ⅱ, Mar. 2007.
• 池田武嗣, 田渕良志明, 田村哲朗, 鉾宏真, 有本由弘, 石原宏. MFIS-FETを用いたNAND型強誘電体メモリ回路における書込みディスターブ, 2007年(平成19年）春季第54回応用物理学関係連合講演会, 2007年(平成19年）春季第54回応用物理学関係連合講演会, Vol. 29a-SV-5/Ⅱ, Mar. 2007.
• 藤崎寿美子, 石原 宏. VDF/TrFE共重合体を用いたMFISダイオードの低電圧動作, 2007年(平成19年)春季第54回応用物理学関係連合講演会, 2007年(平成19年)春季第54回応用物理学関係連合講演会, Vol. 29a-SV-7/Ⅱ, Mar. 2007.
• 井端雅一, 高下裕一郎, 石原宏. カーボンナノチューブを用いた強誘電体ゲート電界効果トランジスタ, 2007年(平成19年)春季第54回応用物理学関係連合講演会, 2007年(平成19年)春季第54回応用物理学関係連合講演会, Vol. 29a-SV-8/Ⅱ, Mar. 2007.
• 高下裕一郎, 白尾瑞基, 矢野亜季, 井端雅一, 石原宏. 強誘電体ゲートカーボンナノチューブトランジスタの作製と評価, 2007年(平成19年)春季第54回応用物理学関係連合講演会, 2007年(平成19年)春季第54回応用物理学関係連合講演会, Vol. 29a-SV-9/Ⅱ, Mar. 2007.
• Sung-ming YOON, Eisuke TOKUMITSU, Hiroshi ISHIWARA. Realization of adaptive learning function in a neuron circuit using metal/ferroelectric (SrBi₂Ta₂O₉)/semiconductor field effect transisitor (MFSFET), Jpn. J. Appl. Phys., Vol. 38-1, No. 4B, pp. 2289-2293, Jan. 1999.
• Eisuke TOKUMITSU, Kensuke ITANI, Bum-Ki MOON, Hiroshi ISHIWARA. Crystalline Quality and Electrical Properties of PbZrxTi1-xO3 Thin Films Prepared on SrTiO3-Covered Si Substrates, Japanese Journal of Applied Physics, Vol. 34, No. 9B, pp. 5202-5206, Sept. 1995.

国際会議発表 (査読なし・不明)

• H. Ishiwara. Applications of bismuth-layered perovskite thin films to FET-type ferroelectric memories, 17th Intern. Sympo. on Integrated Ferroelectrics, No. 3-1-I, Apr. 2005.
• S. K. Singh, H. Ishiwara. Defect engineering for control of polarization fatigue in Bi_4-XLa_XTi₃O₁₂ film capacitors, 17th Intern. Sympo. on Integrated Ferroelectrics, No. 3-4-C, Apr. 2005.
• H. Hoko, C. Aoki, Y. Tabuchi, T. Tamura, K. Maruyama, Y. Arimoto, H. Ishiwara. Electrical properties of Pt/BLT/HfSiON/Si structure for 1T-type ferroelectric memory, 17th Intern. Sympo. on Integrated Ferroelectrics, No. 3-20-P, Apr. 2005.
• Y. Tabuchi, K. Aizawa, T. Tamura, K. Takahashi, H. Hoko, K. Kato, Y. Arimoto, H. Ishiwara. Characterization of (Bi,Nd)₄Ti₃O₁₂/HfO₂/p-type Si structures for MFIS-FeRAM application, 17th Intern. Sympo. on Integrated Ferroelectrics, No. 3-33-P, Apr. 2005.
• S. Ohara, K. Aizawa, H. Ishiwara. Fabrication and characterization of metal-ferroelectric- insulator-semiconductor devices with Pt/Pb₅Ge₃O₁₁/HfO₂/Si structures, 17th Intern. Sympo. on Integrated Ferroelectrics, No. 2-14-C, Apr. 2005.
• S. K. Singh, H. Funakubo, H. Uchida, H. Ishiwara. Structural and electrical properties of BiFeO₃ thin films, 17th Intern. Sympo. on Integrated Ferroelectrics, No. 7-5-C, Apr. 2005.
• S.K.Singh, H.Ishiwara. Bismuth ferrite thin films for advanced FeRAM devices, Intern. Conf. on Solid State Devices and Materials, Vol. H-8-3, pp. Ext. Abstracts pp.1036-1037, Sept. 2005.
• Y.Tabuchi, S.Hasegawa, T.Tamura, H.Hoko, K.Kato, Y.Arimoto, H.Ishiwara. Multi-bit programming for 1T-FeRAM by local polarization method, Intern. Conf. on Solid State Devices and Materials, Vol. H-8-4, pp. Ext. Abstracts pp.1038-1039, Sept. 2005.
• Mehmet Sait Bozgeyik, Jeffery S. Cross, Hiroshi Ishiwara, Kazuo Shinozaki. Ferroelectric and Electrical Properties of BaZrO₃ Doped Sr_0.8Bi_2.2Ta₂O₉ Thin Films, MRS Spring Meeting, MRS Spring Meeting, F3.9, Mar. 2008.
• H.Ishiwara. Recent progress in ferroelectric memory technology, 8th Intern. Conf. on Solid-State and Integrated Circuit Technology, Vol. Proc. Part 2, No. C3.8, pp. 713-716, Oct. 2006.
• S.K.Singh, H.Ishiwara. Excellent Room-Temperature Ferroelectricity in Mn-substituted BiFeO₃ Thin Films Formed by Chemical Solution Deposition, Spring Meeting of Mater. Res. Soc. (Sympo. G; Science and Technology of Nonvolatile Memories), No. G3.3, Apr. 2006.
• H.Ishiwara. Ferroelectric FET Memory, ITRS workshop on Assessment of Options for Emerging Research Memory Devices, No. 2-4, Apr. 2006.
• S.K.Singh, Y-K.Kim, H.Kuwabara, H.Funakubo, H.Ishiwara. Strain effect due to the bottom electrodes in epitaxial BiFeO₃ films formed by chemical solution deposition, 18th Intern. Sympo. on Integrated Ferroelectrics, Vol. 9-281-C, Apr. 2006.
• H.Ishiwara, S.K.Singh. Characteristics of BiFeO₃ thin films prepared by chemical solution deposition, 18th Intern. Sympo. on Integrated Ferroelectrics, Vol. 9-561-I, Apr. 2006.
• S.K.Singh, H.Ishiwara, K.Maruyama. Site-engineering of BiFeO₃ thin films for obtaining ferroelectric properties at room temperature, 18th Intern. Sympo. on Integrated Ferroelectrics, Vol. 6A-101-C, Apr. 2006.
• Y.Tabuchi, S.Hasegawa, T.Tamura, H.Hoko, K.Kato, Y.Arimoto, H.Ishiwara. Multi-bit programming for MFIS-FET using Pt/(Bi,Nd)₄Ti₃O₁₂/HfO₂/n-type Si structures, 18th Intern. Sympo. on Integrated Ferroelectrics, Vol. 1-441-C, Apr. 2006.
• S.K.Singh, H.Ishiwara. Enhanced electrical properties in Mn-doped Bi_3.35La_0.75Ti₃O₁₂ thin film, Fall Meeting of Mater. Res. Soc. (Sympo. T ; Ferroelectric Thin Films XIII), No. T3.52, Nov. 2005.
• S.K.Singh, H.Ishiwara. Improved insulating properties in La-doped BiFeO₃ films fabricated by chemical solution deposition, Fall Meeting of Mater. Res. Soc. (Sympo. U ; Multiferroic materials), No. U5.7, Nov. 2005.

国内会議発表 (査読なし・不明)

• 林大祐, 小菅博明, 大島憲昭, 石原宏. CVD Ru薄膜を下部電極として用いたMo添加BLT強誘電体キャパシタの評価, 2005年(平成17年)春季第52回応用物理学関係連合講演会, Vol. 29a-P1-1, Mar. 2005.
• 會澤康治, 田村哲朗, 有本由弘, 石原宏. SBT/HfO₂/Si構造デバイスにおけるデータ保持特性の温度依存性, 2005年(平成17年)春季第52回応用物理学関係連合講演会, Vol. 31a-P4-2, Mar. 2005.
• 高橋憲弘, 會澤康治, 田村哲朗, 有本由弘, 石原宏. (Bi,La)₄Ti₃O₁₂/CVD-HfO₂/p-Si 構造の作製と電気的特性評価, 2005年(平成17年)春季第52回応用物理学関係連合講演会, Vol. 31a-P4-3, Mar. 2005.
• 小原秀一郎, 會澤康治, 石原宏. Pt/Pb₅Ge₃O₁₁/Pt構造とPt/Pb₅Ge₃O₁₁/HfO₂/Si構造デバイスの評価, 2005年(平成17年)春季第52回応用物理学関係連合講演会, Vol. 31a-P4-4, Mar. 2005.
• 長谷川聡史, 田渕良志明, 加藤一実, 田村哲朗, 有本由弘, 石原宏. (Bi,Nd)₄Ti₃O₁₂/CVD HfO₂構造を用いたMFISダイオードの作製と評価, 2005年(平成17年)春季第52回応用物理学関係連合講演会, Vol. 31a-P4-9, Mar. 2005.
• 田渕良志明, 會澤康治, 田村哲朗, 高橋憲弘, 鉾宏真, 加藤一実, 有本由弘, 石原宏. (Bi,Nd)₄Ti₃O₁₂/HfO₂/p-type Si 構造を用いたMFIS-FETの特性評価, 2005年(平成17年)春季第52回応用物理学関係連合講演会, Vol. 31a-P4-12, Mar. 2005.
• 小原秀一郎, 田村哲朗, 石原宏. Pt/(Sr_0.8Bi_2.2Ta₂)_x(Bi_1.05FeO₃)_(1-x)/Pt構造デバイスの評価, 2005年（平成17年）秋季第66回応用物理学会学術講演会, Vol. 9a-L-6, Sept. 2005.
• 田渕良志明, 長谷川聡史, 田村哲朗, 鉾宏真, 加藤一実, 有本由弘, 石原宏. (Bi,Nd)₄Ti₃O₁₂/HfO₂/Si構造を用いたMFIS-FETの多値メモリ化の検討, 2005年（平成17年）秋季第66回応用物理学会学術講演会, Vol. 9a-L-7, Sept. 2005.
• 長谷川聡史, 田渕良志明, 田村哲朗, 加藤一実, 有本由弘, 石原宏. Pt/BNT((Bi,Nd)₄Ti₃O₁₂)/HfO₂/Siキャパシタのメモリ特性におけるBNT膜厚の影響, 2005年（平成17年）秋季第66回応用物理学会学術講演会, Vol. 9a-L-8, Sept. 2005.
• 林大祐, S. K. Singh, 小菅博明, 大島憲明, 石原宏. CVD法により形成したRu電極を用いたBiFeO₃キャパシタの評価, 2005年（平成17年）秋季第66回応用物理学会学術講演会, Vol. 9p-L-12, Sept. 2005.
• Young uk Song, Shun-ichiro Ohmi, Hiroshi Ishiwara. Investigation of n-type properties of pentacene based on MOS diodes utilizing ultra thin metal interlayer, 春季第５７回応用物理学関係連合講演会, 春季第５７回応用物理学関係連合講演会予稿集, 応用物理学会, p. 12-435, Mar. 2010.
• Lee Gwang Geun, Hoowon Yoon, Yosihisa Fujisaki, Hiroshi Ishiwara, Eisuke Tokumitsu. Ferroelectric Behaviors of P(VDF-TrFE) Thin Films on Transparent ITO Electrode, 第70回 応用物理学会学術講演会, 第70回 応用物理学会学術講演会, 11p-L-2, Sept. 2009.
• Joo-Won Yoon, Shun-ichiro Ohmi, Hiroshi Ishiwara. Retention Characteristics of poly(vinylidenefluoride-trifluoroethylene)MFIS diodes, 春季第56回応用物理学関係連合講演会, 春季第56回応用物理学関係連合講演会予稿集, 応用物理学会, Mar. 2009.
• Mehmet S. Bozgeyik, J. S. Cross, H. Ishiwara, K. Shinozaki. Effect of Ba and Zr Doping in Sr_0.8Bi_2.2Ta₂O₉ Thin Films, The 2nd International Conference on Science and Technology for Advanced Ceramics (STAC2), The 2nd International Conference on Science and Technology for Advanced Ceramics (STAC2), No. PC07, May 2008.
• 尹珠元, 大見俊一郎, 石原宏. Ferroelectrics Characteristics of poly (vinylidene fluoride - trifluoroethylene) MFIS diodes, 第55回応用物理学関係連合講演会講演予稿集, 第55回応用物理学関係連合講演会講演予稿集, 応用物理学会, No. 2, p. 579, Mar. 2008.
• 尹珠元, 大見俊一郎, 石原宏. Characteristics of metal-ferroelectric-insulartor-semiconductor structures based on poly(vinylidene fluoride-trifluoroethylene), 電子情報通信学会SDM研究会, 電子情報通信学会技術研究報告, 電子情報通信学会, Vol. 107, No. 549, pp. 13-16, Mar. 2008.
• 齋藤貢一, 石原宏. シリケート添加によるSBT薄膜の比誘電率制御, 2006年(平成18年）秋季第67回応用物理学会学術講演会, Vol. 31a-V-4/II, Aug. 2006.
• Byung-Eun Park, Hiroshi Ishiwara. Characterization of Polyvinylidene fluoride thin films by sol-gel method, 2006年(平成18年）秋季第67回応用物理学会学術講演会, Vol. 30p-V-20/II, Aug. 2006.
• 鉾宏真, 田渕良志明, 丸山研二, 石原宏. SrBi₂Ta₂O₉とHfSiONを強誘電体膜とバッファ層に用いたMFIS-FETの特性評価, 2006年(平成18年）秋季第67回応用物理学会学術講演会, Vol. 31a-V-6/II, Aug. 2006.
• 田渕良志明, 長谷川聡志, 田村哲朗, 鉾宏真, 加藤一実, 有本由弘, 石原宏. 弱電界におけるPt/(Bi,Nd)₄Ti₃O₁₂/Ptキャパシタの疲労現象, 2006年(平成18年）秋季第67回応用物理学会学術講演会, Vol. 31p-V-15/II, Aug. 2006.
• 梅山将志, 石原宏, 丸山研二, 田村哲朗. Pt/Sr_0.8Bi_2.2Ta₂O₉/HfO₂/Si構造MFISダイオードにおけるバッファ層膜厚の最適化, 2006年(平成18年）秋季第67回応用物理学会学術講演会, Vol. 31a-V-5/II, Aug. 2006.
• 鉾宏真, 田渕良志明, 田村哲朗, 丸山研二, 石原宏. HfSiON膜バッファ層を用いたPt/(Bi,La)₄Ti₃O₁₂/HfSiON/Si構造の強誘電体ゲートFETの特性, 2006年(平成18年)春季第53回応用物理学関係連合講演会, Vol. 25p-S-7/II, Mar. 2006.
• 小原秀一郎, 田村哲朗, 丸山研二, 石原宏. Sr₂(Ta,Nb)₂O₇/HfO₂/Si構造デバイスの作製と評価, 2006年(平成18年)春季第53回応用物理学関係連合講演会, Vol. 25p-S-12/II, Mar. 2006.
• 林大祐, S.K.Singh, 大島憲昭, 丸山研二, 石原宏. PtならびにRu電極上へのMnドープBiFeO₃膜の形成, 2006年(平成18年)春季第53回応用物理学関係連合講演会, Vol. 26p-S-5/II, Mar. 2006.
• 田渕良志明, 長谷川聡志, 田村哲朗, 鉾宏真, 加藤一実, 有本由弘, 石原宏. MFIS-FETのメモリウィンドウ測定による分極状態の評価, 2006年(平成18年)春季第53回応用物理学関係連合講演会, Vol. 25p-S-8/II, Mar. 2006.
• 金泫秀, 山本修一郎, 石川徹, 大木博, 石原宏. 1T2C型強誘電体メモリアレイの作製と評価, 第65回応用物理学会学術講演会講演予稿集, Vol. 2, pp. 496, 2004.
• Sung-ming YOON, Yuji KURITA, Eisuke TOKUMITSU, Hiroshi ISHIWARA. Electrical Characteristics of Neuron Oscillation Circuits Composed of MOSFETs and Complementary Unijunction Transistors, Japanese Journal Applied Physics, Vol. 37, No. 3B, pp. 1110-1115, Mar. 1998.

その他の論文・著書など

• 石原宏. トランジスタ型強誘電体メモリ開発の現状と将来展望, 電子情報通信学会誌, Vol. 88, No. 4, pp. 266-271, Apr. 2005.
• 石原宏. トランジスタ型強誘電体メモリの現状と展望, 応用物理, Vol. 75, No. 5, pp. 546-552, May 2006.
• 神保武人, 佐野春行, 舟窪浩, 徳光永輔, 石原宏. プラズマプロセスを用いた溶液気化MOCVD法によるSrBi2Ta2O9薄膜の作製, 社団法人 電気通信学会 信学技報, Vol. ED98-247, pp. 7-12, 1999.

特許など

• 石原宏, 丸山　研二, 川嶋　将一郎, 鉾　宏真. 強誘電体メモリ. 特許. 公開. 国立大学法人東京工業大学, 富士通株式会社. 2008/03/25. 特願2008-078090. 2009/10/08. 特開2009-230835. 2009.
• 石原宏, 丸山　研二, 川嶋　将一郎, 鉾　宏真. 強誘電体メモリセルおよび強誘電体メモリ. 特許. 公開. 国立大学法人東京工業大学, 富士通株式会社. 2008/03/25. 特願2008-078089. 2009/10/08. 特開2009-230834. 2009.
• 石原宏, スシル　クマル　シン, 鉾　宏真, 杉山　芳弘. 半導体装置及びその製造方法. 特許. 公開. 国立大学法人東京工業大学, 富士通株式会社. 2008/03/18. 特願2008-069338. 2009/10/01. 特開2009-224668. 2009.
• 石原宏, スシル　クマル　シン, 丸山　研二, 近藤　正雄. 半導体装置及びその製造方法. 特許. 公開. 国立大学法人東京工業大学, 富士通株式会社. 2007/03/30. 特願2007-092413. 2008/10/16. 特開2008-251907. 2008.
• 石原宏, スシル　クマル　シン, 丸山　研二, 近藤　正雄. 半導体装置及びその製造方法. 特許. 公開. 国立大学法人東京工業大学, 富士通株式会社. 2006/09/19. 特願2006-253569. 2008/04/03. 特開2008-078248. 2008.
• 石原宏, 丸山　研二, 田村　哲朗, 鉾　宏真. 半導体素子及びそれを用いた半導体記憶装置、及びそのデータ書込み方法、データ読出し方法、及びそれらの製造方法. 特許. 公開. 国立大学法人東京工業大学, 富士通株式会社. 2006/08/25. 特願2006-229896. 2007/08/23. 特開2007-214532. 2007.
• 石原宏, Singh Kumar Sushil, 丸山　研二, 近藤　正雄, 佐藤　桂輔. 半導体装置および半導体装置の製造方法. 特許. 公開. 国立大学法人東京工業大学, 富士通株式会社. 2006/02/20. 特願2006-042921. 2007/08/30. 特開2007-221066. 2007.
• 石原宏, 會澤康治, 青木　千恵子, 鉾　宏真, 田村　哲朗, 丸山　研二. 強誘電体キャパシタ、強誘電体メモリ、及びそれらの製造方法. 特許. 公開. 国立大学法人東京工業大学, 富士通株式会社. 2005/10/18. 特願2005-302611. 2007/05/10. 特開2007-115733. 2007.
• 石原宏, 田渕　良志明, 高橋　憲弘, 長谷川　聡志, 會澤康治, 有本　由弘, 田村　哲朗, 鉾　宏真, 山口　正臣, 奈良　安雄. 強誘電体メモリ、多値データ記録方法、および多値データ読出し方法. 特許. 公開. 国立大学法人東京工業大学, 富士通株式会社. 2005/08/31. 特願2005-252504. 2006/04/20. 特開2006-108648. 2006.

学位論文

• イオン注入法を用いた半導体素子製作に関する研究,  本文,  工学博士,  東京工業大学,  1973/03/26,   
• 注入イオン分布に関する理論的研究,  Master of Engineering,  東京工業大学,  1970/--/--, 

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